Ať už jde o klasické rovinné tranzistory, novější FinFET nebo chystané GAAFET, ty pojí jedna skutečnost, a sice to, že jsou orientovány vertikálně. IBM se Samsungem se tak pokusí využít vertikálně orientované tranzistory, čili VTFET.
Logika říká, že tam bude mnohem víc vrstev. Čili větší spotřeba strojů, které jsou momentálně největší překážkou v rozčíření výroby. Ale jinak ano, počítám, že to povede tímto směrem, tranzistory jako věže a porosou do výšky.