IBM a TDK společně při vývoji STT-RAM

Paměti typu STT-RAM (Spin Torque Transfer RAM) budou vyvíjeny ve spolupráci firem IBM a TDK. Princip fungování STT-RAM je možná patrný již z názvu – manipuluje se zde se spiny atomů pomocí elektrického proudu. Spin se může měnit podle směru rotace (vlevo, vpravo) či podle pozice (nahoru a dolů). Změna spinu mění vodivost, což může reprezentovat typickou nulu nebo jedničku. V plánu je vytvořit během čtyř let funkční prototyp vyráběný 65nm technologií. Společnost Grandis, začátečník v Silicon Valley, si však věří více a momentálně se snaží vyrobit prototypy pro investory a doufá, že se paměti dostanou na trh ještě na konci příštího roku.
IBM se dříve snažilo vytvořit jiný typ magnetických pamětí, MRAM, ale nastaly potíže se zhuštěním tranzistorů do čipu. „Když čip děláte menší, je potřeba zesílit magnetické pole, což je ale nepraktické,“ řekl Bill Gallagher, starší manažer výzkumu non-volatilních pamětí v IBM. „K tomu, abychom se dostali pod 65 nm, potřebujeme jiných mechanizmus k zapisování informací.“ IBM totiž nějaké prototypy má, ale ty jsou vyráběny starší technologií. Komerčně MRAM vydal pouze Freescale Semiconductor, ale ten na Flash Memory Summitu vyjádřil pochybnosti o budoucnosti této technologie, neboť se pravděpodobně nepodaří jít pod 65 nm.

STT-RAM jsou spolu s PRAM kandidáty na náhradu Flash pamětí. O PRAM, které fungují na principu změny krystalické struktury na amorfní zahřátím na vysokou teplotu, se již mluví od roku 1970, ale dosud ještě nejsou na trhu. Je však pravděpodobné, že vyrábět se budou především ve firmě Numonyx, kterou právě zakládá Intel a STMicroelectronics (ti právě na PRAM pracují).

Zdroj: cnet