IBM, Chartered, Infineon a Samsung hlásí připravenost na 45nm výrobu
30.8.2006, Milan Šurkala, aktualita
Společnosti IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies and Samsung Electronics oznámily, že mají první funkční obvody vyrobené low-power 45nm CMOS procesem a také dostupnost návrhářských kitů pro vybrané zákazníky....
Společnosti IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies and Samsung Electronics oznámily, že mají první funkční obvody vyrobené low-power 45nm CMOS procesem a také dostupnost návrhářských kitů pro vybrané zákazníky.
Na vývoji se podílely všechny čtyři společnosti. Hlavním centrem projektu a továrnou, kde byly první vzorky vyrobeny, bylo zařízení společnosti IBM v East Fishkill, New York, kde byly použity 300mm wafery. Předpokládá se, že 45nm low-power výrobní proces nasadí společnosti IBM, Chartered a Samsung do svých továren do konce roku 2007. Podle prvních testů nových obvodů by mělo být dosaženo nejméně o 30% vyššího výkonu.
Zdroj: www.digitimes.com, www.xbitlabs.com
Na vývoji se podílely všechny čtyři společnosti. Hlavním centrem projektu a továrnou, kde byly první vzorky vyrobeny, bylo zařízení společnosti IBM v East Fishkill, New York, kde byly použity 300mm wafery. Předpokládá se, že 45nm low-power výrobní proces nasadí společnosti IBM, Chartered a Samsung do svých továren do konce roku 2007. Podle prvních testů nových obvodů by mělo být dosaženo nejméně o 30% vyššího výkonu.
Zdroj: www.digitimes.com, www.xbitlabs.com
