Intel DG2-512 má více tranzistorů než Navi 22 a GA104, jak je na tom s hustotou?
31.3.2022, Jan Vítek, aktualita
Intel si namísto třech původně očekávaných GPU připravil jen dvě, přičemž my už můžeme od včerejšího dne mluvit o ACM-G10 a ACM-G11. A jak je v případě GPU dobrým zvykem, vyšší číslo znamená nižší výkon.
Intel ACM-G10 jsme tak označovali za DG2-512EU, čili ACM-G11 je DG2-128EU, ale co se o nich dozvíme nového?
Pokud jde o specifikace, pak ty jsou dobře známy. ACM-G11 je vybaveno osmi jádry Xe Core, čili dříve bychom řekli 128 jednotkami EU. Počtu jader Xe Core také odpovídá i počet Ray Tracing Unit, z čehož ale vůbec nic nezjistíme, neboť zatím není zřejmé, jak výkonné tyto jednotky pro ray tracing jsou. Dále tu máme 4 MB L2 cache, 8 linek rozhraní PCIe 4.0 a také 96bitovou sběrnici. Mobilní karty založené na G11 přitom využívají jen 64 bitů pro 4 GB paměti, takže lze usuzovat, že desktopové karty nabídnou jednak vyšší takty GPU a vedle toho také plnou 96bitovou šířku a 6 GB paměti GDDR6.
ACM-G10 má už plných 32 Xe Core i Ray Tracing Unit, k tomu 16 MB paměti L2 cache, 256bitové rozhraní pro GDDR6, která bude určena zřejmě maximálně pro 16 GB, a to alespoň v případě herních karet. Dále to je také už plná šířka sběrnice PCIe 4.0.
Server HardwareUnboxed také uvádí, že čip ACM-G10 zabírá plochu 406 mm2 a skládá se ze 21,7 miliard tranzistorů, čili dosahuje hustoty cca 53,4 milionů tranzistorů na milimetr čtverečný. Jde tak o čip, který je větší než Navi 22, ale menší než Navi 21, což platí i pro GA104 a GA102, i když velikostně má G10 velice blízko ke GA104. K tomu si můžeme vytvořit takovou malou tabulku:
GPU a výrobní proces | Plocha (mm2) | Počet tranzistorů (mld.) | Tranzistorová hustota (mil.) |
ACM-G10 - 6nm TSMC | 406 | 21,7 | 53,4 |
Navi 22 - 7nm TSMC | 335 | 17,2 | 51,3 |
Navi 21 - 7nm TSMC | 519,8 | 26,8 | 51,5 |
GA104 - 8nm Samsung | 392,5 | 17,4 | 44,3 |
GA102 - 8nm Samsung | 628,4 | 28,3 | 45 |
Hodnoty z tabulky ukazují, že nám to docela dobře zapadá do představ o výrobních procesech firem TSMC a Samsung. Z hlediska tranzistorové hustoty jsou na tom totiž nejhůře čipy NVIDIA, které využívají 8nm proces firmy Samsung, o němž se ví, že má nižší hustotu než 7nm proces od TSMC. To se sice projevilo, ale pochopitelně nejde o jediný faktor, který určuje hustotu tranzistorů v konkrétních čipech, záleží i na jejich návrhu.
Co se týče novinky od Intelu, ta využívá mírně vylepšený proces N6 ze 7nm rodiny, který už aplikuje EUV litografii a i díky tomu má o cca 18 procent vyšší tranzistorovou hustotu, což se však zde oproti 7nm čipům firmy AMD projevilo jen mírně. Vyšší ale přesto je.
GPU a výrobní proces | Plocha (mm2) | Počet tranzistorů (mld.) | Tranzistorová hustota (mil.) |
ACM-G11 - 6nm TSMC | 157 | 7,2 | 45,9 |
Navi 24 - 6nm TSMC | 107 | 5,4 | 50,5 |
Zajímavé je, že v případě G11 už Intel nabízenou plochu nevyužil tak efektivně, ostatně i na fotografiích se tento čip zdá větší, než by vzhledem ke své výbavě musel být, ale to se dalo přičíst zvlášť tomu, že ta neobsahuje jen výpočetní jádra. Nicméně čísla ukazují, že tranzistorová hustota čipu G11 je opravdu citelně nižší, a výrazně lépe je na tom i Navi 24, jediné rovněž 6nm GPU od AMD.