Intel na dlouhou dobu zaspal na svém 14nm výrobním procesu, dlouho se mu nedařilo ani přejít na 10nm verzi, nicméně nyní by se chtěl konkurenci zase o něco více přiblížit a ideálně ji i překonat. Jedním z kroků by měly být nové procesy 20A a 18A, kde "A" reprezentuje angstromy. Vznikla nám tu totiž dost zmatečná situace, kdy např. 10nm proces Intelu dosahoval podstatně větší hustoty tranzistorů než 10nm proces u TSMC a nyní se už nedá srovnávat skoro nic s ničím. Ostatně i procesy 20A a 18A jsou z jednoho pohledu uváděny jako 2nm a 1,8nm procesy, z druhého by pak mělo jít v obou případech v podstatě o 5nm proces.
Novinky přinesou technologii tranzistorů RibbonFET (nástupce FinFET z roku 2011) a PowerVia. Tyto technologie mají umožnit např. zvýšit hustotu tranzistorů, dovolit zvýšit max. frekvence v Boostu, také snížit úniky proudu a zlepšit efektivitu. Intel však chce procesy uspíšit, a tak by se 20A měl objevit v testovacím nasazení už v první polovině roku 2024 a 18A, který má být mírný vylepšením 20A, je nyní místo roku 2025 plánován na druhou polovinu 2024.
Stojí za tím ten fakt, že 18A měl využívat nové skenery ASML Twinscan EXE s optikou 0.55NA, který tou dobou nebude ještě dostupný, a tak se Intel rozhodl využít ještě starší Twinscan NXE s 0.33NA. Prozatím tu tak máme dokončení základního vývoje a tape-out technologií. Výše zmíněná data ale znamenají ověřovací testovací výrobu, ta velkosériová bude o něco později (např. pro 18A až v roce 2025). Intel chce využívat novou technologii nejen pro své čipy, ale patrně ji nabídne i svým partnerům v rámci IFS (Intel Foundry Services).
.jpg)
