Recenze  |  Aktuality  |  Články
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty
Chlazení a skříně
Ostatní
Periférie
Procesory
Storage a RAM
Základní desky
O nás  |  Napište nám
Facebook  |  Twitter
Digimanie  |  TV Freak
Svět mobilně  |  Svět audia

Micron ohlásil 232vrstvé paměti 3D NAND Flash, WD zase 162vrstvé

, , aktualita
Micron ohlásil 232vrstvé paměti 3D NAND Flash, WD zase 162vrstvé
Americký Micron se pochlubil svými novými paměťmi typu 3D NAND Flash, které se skládají již z 232 vrstev paměťových buněk. Jejich výroba přitom začne ještě letos, což naznačuje, kdy se dočkáme výsledných produktů. 
Micron ohlásil 232vrstvé paměti 3D NAND Flash, WD zase 162vrstvé
Micron tak navyšuje počet vrstev pamětí 3D NAND Flash na 232, díky čemuž se bude moci příslušný zvýšit jejich hustota, a tedy i kapacita, jakou může nabídnout jedno standardní pouzdro. 
 
 
Konkrétně budou s 232 vrstvami vyráběny 1Tb paměti TLC NAND, které budou mít široké využití včetně SSD pro PC či různá jiná zařízení. Micron tu využívá svou architekturu CuA (CMOS under Array) a jistou techniku "string stacking", která byla využita i pro výrobu starších 176vrstvých pamětí, které se skládaly z dvou sestav po 88 vrstvách. V tomto případě to tak bude znamenat dvě sestavy po 116 vrstvách. 
 
Micron tu tak předvedl 32procentní nárůst počtu vrstev s paměťovými buňkami, což znamená, že nové paměti mohou být velice zhruba o třetinu menší se stejnou kapacitou, anebo při stejné velikosti nabídnou o třetinu vyšší kapacitu, a to samozřejmě za předpokladu použití stejného procesu se stejně velkými buňkami. 
 
Dále se tu počítá i s tím, že 232vrstvé 3D NAND Flash už budou určeny i pro nové modely SSD pro rozhraní PCIe 5.0. Micron tak již na tomto úkolu spolupracuje s různými výrobci SSD kontrolerů, aby si u nich zajistil podporu svých pamětí. 
 
 
Nedozvídáme se přitom vůbec nic o tom, jaký výkon či jiné vlastnosti můžeme očekávat. Máme tu však alespoň malý výhled do budoucna, dle nějž se počítá s dalším výrazným navyšováním vrstev na 400 a více, přičemž se budou dále vyvíjet i paměti QLC, které zapisují čtyři bity do jedné buňky a rovněž samotná technologie "dual stack". 
 
Scott DeBoer (executive vice president of technology and products, Micron) k vlastnostem nových pamětí sdělil obecně jen to, že budou výkonné a také oproti předchozím generací úsporné, ale nic konkrétnějšího neuvedl. Uvidíme tak možná až v příštím roce, kdy by měly s nimi nastoupit první produkty. 
 
 
Shodou okolností své nové paměti představil také Western Digital, který se pochlubil konkrétně 162vrstvými BiCS6, jež vyrábí na waferech, které tak dosahují celkové kapacity cca 100 TB. 
 
 
Ve vývoji jsou i 200 a více vrstvé paměti BiCS+, které mají oproti BiCS6 dosáhnout 55% nárůstu kapacity na wafer a o 60 % vyšší přenosové rychlosti, což se zřejmě týká čtení, neboť konkrétně zápis má být rychlejší o 15 %. BiCS+ se ovšem objeví někdy v roce 2024 a jak ukazuje roadmap firmy WD, i ta počítá s růstem počtu vrstev nad 500 a v takovém případě už počítá i s vrstvením samotných waferů. 


reklama