Nové paměti BAT-RAM a Mobile-RAM
13.2.2001, Petr Klabazňa, zpráva
Zatímco se Rambus připravuje na soudní spory se společnostmi Micron a Hyundai v Německu, na poli paměťových modulů se připravují další technologie. Tentokrát je na řadě snaha o snížení spotřeby a napájecího napětí.
Nyní alespoň na chvíli pozapomeneme na vzpomínané paměti Rambus a nebo i DDR a budeme se věnovat SDRAM pamětem. Není v tom nic jiného, jen fakt, že i na těchto SDRAMech je stále co vylepšovat (a to beze změny podstaty či režimu práce s touto pamětí). O první produkty řady BAT-RAM, paměti pracující s nižším příkonem, nás informuje Micron. V současné době jsou již vyrobeny vzorky pamětí 64 Mb (2 Meg x 32) BAT-RAM s napájením 2.5 (označení MT48V2M32LFFC) a 3.3 (označení MT48LC2M32LFFC) V. Jejich použití především v mobilních zařízeních by tak zvýšilo životnost baterií (např. v mobilkách, při bezdrátových spojeních apod.).
Kromě přizpůsobení pamětí pro mobilní použití budou disponovat BAT-RAM ještě dalšími rysy. Předně refresh této dynamické paměti bude prováděn v modulu samotném a v závislosti na teplotě okolí TCSR (temperature compensated self refresh). Jeho činnost bude ovšem předem naprogramována systémem a při pokojové teplotě bude mít dokonce menší spotřebu.
A pro mobilní trh zde má Micron hned konkurenci v podobě Mobile-RAM od společnosti Infineon. Ta uvedla novou řadu DRAM pamětí, které jsou určeny pro handheldy (počítače do dlaně). Zde tedy musí paměťové produkty splňovat kombinaci následujících tří kritérií - pro bateriový provoz to je nízká spotřeba, dále velmi malé rozměry a také nízká cena na jeden bit.
Tyto Mobile-RAM, tedy nízkopříkonové SDRAM budou vyráběny v pouzdru BGA a zpočátku s hustotou/kapacitou 128-Mbitů. Příkon těchto pamětí je snížen až na 80 % v závislosti na provozních podmínkách a samotném návrhu systému. Na rozdíl od standardních SDRAM pamětí, které pracují s napětím 3.3 V, je pro Mobile-RAM toto napětí sníženo na 2.5 V (pro vlastní paměťové pole) a 1.8 V (nebo 2.5 V) pro I/O sekci. Občerstvení je řešeno obdobně jako u BAT-RAM, a dále je ještě možné snížení nároků na energii občestvováním pouze části paměti s daty. Jen mě tak napadá, že čím méně bude uloženo, tím delší bude provozní doba na jedno nabití akumulátorů :-).
Zdroj Electic
Kromě přizpůsobení pamětí pro mobilní použití budou disponovat BAT-RAM ještě dalšími rysy. Předně refresh této dynamické paměti bude prováděn v modulu samotném a v závislosti na teplotě okolí TCSR (temperature compensated self refresh). Jeho činnost bude ovšem předem naprogramována systémem a při pokojové teplotě bude mít dokonce menší spotřebu.
A pro mobilní trh zde má Micron hned konkurenci v podobě Mobile-RAM od společnosti Infineon. Ta uvedla novou řadu DRAM pamětí, které jsou určeny pro handheldy (počítače do dlaně). Zde tedy musí paměťové produkty splňovat kombinaci následujících tří kritérií - pro bateriový provoz to je nízká spotřeba, dále velmi malé rozměry a také nízká cena na jeden bit.
Tyto Mobile-RAM, tedy nízkopříkonové SDRAM budou vyráběny v pouzdru BGA a zpočátku s hustotou/kapacitou 128-Mbitů. Příkon těchto pamětí je snížen až na 80 % v závislosti na provozních podmínkách a samotném návrhu systému. Na rozdíl od standardních SDRAM pamětí, které pracují s napětím 3.3 V, je pro Mobile-RAM toto napětí sníženo na 2.5 V (pro vlastní paměťové pole) a 1.8 V (nebo 2.5 V) pro I/O sekci. Občerstvení je řešeno obdobně jako u BAT-RAM, a dále je ještě možné snížení nároků na energii občestvováním pouze části paměti s daty. Jen mě tak napadá, že čím méně bude uloženo, tím delší bude provozní doba na jedno nabití akumulátorů :-).
Zdroj Electic
