Novinky okolo RDRAM na Intel Developers Forum
26.2.2002, Štěpán Mrázek, článek
Na Intel Developers Forum budou mimo jiné prezentovány také novinky okolo technologie RDRAM. Informace jsou to zcela jistě velice zajímavé a naznačují, že souboj DDR vs. RDRAM bude ještě značně urputný.
Firma Rambus by měla demonstrovat během Intel Developer Forum tzv. RIMM 4200 modul. Tento RIMM 4200 modul integruje dva RDRAM paměťové kanály a zaručuje tak přenosovou rychlost 4,2 GB/s při jednom modulu. Moduly RIMM 4200 pracují se standardním RDRAM řadičem a umožňují upgradovat jeden modul na dvoukanálový paměťový systém. Dále také moduly RIMM 4200 umožňují zjednodušit návrh základní desky, neboť vyžadují jen 5 čtverečních palců prostoru. Demonstrační systém by měl využívat čtyřvrstvou základní desku (levnější výroba) a také standardní 232 pinové RIMM sloty. Demonstrační zařízení bude využívat komponenty od společnosti Samsung, jednoho z předních světových výrobců paměťových čipů.
Pozn.: Kromě technologie RIMM 4200 bude také Rambus demonstrovat RDRAM paměti pracující na 1200 MHz.
Zdroj: Virtual Zone
Pozn.: Kromě technologie RIMM 4200 bude také Rambus demonstrovat RDRAM paměti pracující na 1200 MHz.
Zdroj: Virtual Zone
