Přehled dění v oblasti hardware za září 2005

Operační paměti RAM

Corsair a Asus: první plody spolupráce

Tyto dvě firmy již nějakou dobu spolupracují a v důsledku toho Corsair představil nové paměti XMS1024-3500LLPRO a TWINX2048-3500LLPRO speciálně optimalizované pro základní desku A8N32-SLI Deluxe.
Moduly o kapacitě 1GB mají 18 LED indikujících vytížení, časování CL2 3-2-6 1T zaručuje vysoký výkon, hliníkové chladiče pak lepší odvod tepla.


GeIL: 667MHz Ultra a 800MHz Value moduly

Společnost GeIL známá svými kvalitními a rychlými paměťovými moduly představila 800MHz verzi DDR2 pamětí řady Value, tedy pamětí za přijatelnou cenu, ale stále mající vysokou kvalitu. Časování činí CL5 5-5-15 při napětí 1,8-2,4V. Je otázkou co provedou poměrně vysoké latence s výkonem paměti.
667MHz DDR2 moduly řady Ultra sice nemají tak vysokou frekvenci, ale zase disponují o poznání nižšími latencemi, CL3 4-4-8 při napětí 2,1-2,4V. Jsou to paměti určené speciálně pro chipset nVIdia nForce4 Intel Edition. Bohužel není známá cena ani jedné z nově uvedených pamětí.


Infineon a Nanya pracují na 60nm technologii

Tyto dvě společnosti se rozhodly prohloubit svoji spolupráci. Vývoj 90nm a 70nm technologií tak bude rozšířen i o vývoj 60nm technologie. Ta by měla přinést další významné snížení nákladů na výrobu a v neposlední řadě také schopnost dosahovat vyšších frekvencí při pravděpodobně nižší spotřebě.
Vývoj probíhá v Mnichovu u Infineonu. Zaměstnáno je zde kolem 100 lidí, první 60nm čipy by se měly objevit v roce 2008.


512Mbit DDR čipy pro spotřební elektroniku

Elpida uvedla na trh 512Mbit paměťové čipy DDR pro spotřební elektroniku. Ty se využívají například v digitálních televizích, set-top boxech či DVD rekordérech.
Poptávka po pamětech se zvyšujícím se zastoupeních této elektroniky logicky stoupá. Elpida vyrábí moduly 32M×16bit nebo 64M×8bit, oba s časováním CL3 a přenosovou rychlostí 400Mbps.
Splňují RoHS normu, jsou dodávány v 66 pinovém pouzdře TSOP II.


256Mbit pseudo-SRAM (UtRAM)

Společnost Samsung je první výrobce 256Mbit paměti UtRAM (Uni-Tranzistor Random Access Memory). Tu vyrábí 90nm procesem. Pracuje na frekvenci 133MHz což zaručuje více než dost výkonu pro mobilní telefony, počítače do ruky a jim podobnou malou elektroniku. Velkým lákadlem je také "near-zero-power", tedy prakticky nulová spotřeba.


Epson TFT-SRAM

Znáte-li zkratku TFT z oblasti LCD monitorů, pak vězte, že jde v tomto případě o velmi podobnou věc. Společnost Epson vyvinula paměť SRAM (nepotřebuje se obnovovat jako DRAM), která je za pomoci technologie SUFTLA umístěna na plastickém substrátu. LCD má tranzistory na skleněném substrátu.
Nová paměť má nalézt uplatnění v malých, lehkých a flexibilních elektronických zařízeních. Kapacita prototypu činí 16kbit, pracuje s napětím 3V-6V, velikost čipu je 10,77×8,28mm při tloušťce 200 mikrometrů.


Samsung: NAND paměti převálcují všechno

Firma Samsung to s NAND Flash pamětmi myslí opravdu vážně. Už je protlačila nejen do Apple iPod nano, kde nahrazují miniaturní harddisky, ale plánuje s nimi další ofenzivu. Pomocí 50nm výrobního procesu vytvořila 2GB čip s 16,6 miliony tranzistorů.
Pomocí 16-ti těchto čipů vytvořila 32GB Flash paměť. Nízká cena tak umožňuje směle věřit plánům, kdy se mají nahradit pevné disky notebooků právě Flash pamětmi (což by ze čtyř takových pamětí nebyl problém), dokonce to jde tak daleko, že by měly být nahrazeny pevné disky s točícími se plotnami úplně. Ty sice v dnešní době procházejí velkým zdokonalením v podobě kolmého zápisu (přibližně o polovinu větší kapacita), ale nízká spotřeba a vlastně téměř neomezená životnost Flash pamětí má také něco do sebe, už se nebudete muset bát házet harddiskem. I když bych to přesto nedoporučoval.


GDDR4 se už blíží

Grafické paměti GDDR si našly u grafických karet své oprávněné zastoupení. Poskytují skvělé frekvence a tím i výkon. Jenže i tak aktuální GDDR3 dříve nebo později přestane stačit. Na jejich místo se plánují paměti GDDR4, které by měly být poprvé použity u grafických karet s čipem nVidia G80, nástupcem dnešní GeForce 7800. Tak by se mělo stát v roce 2006. Od nových pamětí se slibují vysoké frekvence, GDDR4 by měly začít na efektivních 1600MHz (toho nedosahují ani dnešní GDDR3), dále by díky lepšímu výrobnímu procesu měly být levnější při nižší spotřebě elektrické energie.


3 paměti v jedné? U Samsungu žádný problém

Samsung vyvinul 10-čipový package pamětí, který obsahuje nejen čipy DRAM, ale i Flash pamětí a to jak NAND tak i NOR. Obsahuje 2×4GB NAND Flash čipy, 4×512MB DRAM čipy a 4×256MB NOR Flash čipy. Celková kapacita činí 11GB.
Tyto paměti by měly najít uplatnění v mobilních telefonech či jiných přenosných zařízeních, kde se hraje na malý prostor, ale i vysokou rychlost a v neposlední řadě i funkčnost.