reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Samsung a technologické novinky v mobilní oblasti

21.9.2004, Petr Hájek, článek
Samsung a technologické novinky v mobilní oblasti
Společnost Samsung, to nejsou pouze mobilní telefony, ale také technologická inovace a nové zlepšováky. A s čím že se to Samsung může pochlubit tentokrát? Máme tu jeden mobilní procesor taktovaný na 667 MHz, pak 2 Mpix CMOS senzor a také nový 60 nm flash ROM čip, díky kterému bude možné pohodlně vyrábět paměťové karty až do velikosti 16 GB.

667 MHz procesor

Co se týče PDA, pak společnost Samsung nijak nezaostává za velikány Intelovského typu, o čemž svědčí vydání nového 667 MHz procesoru určeného pro mobilní techniku, ať již smartphony nebo PDA, kterým má přinést opět výrazně rychlejší práci s multimédii a 3D hrami. Soudě dle posledního vývoje se dá očekávat, že Samsung jistě myslel i na vypínání momentálně nepotřebných částí procesoru resp. dynamické změny taktu.

Rychlost procesoru umožní bezproblémovou práci s focením a videem v reálném čase, samozřejmě zvládne i náročné zpracování multmédií, což se mu bude s příchodem displejů vyšších rozlišení na trh jen hodit. CPU Samsung ARM1020E obsahuje 64 kB cache a vestavěný koprocesor pro floating point operace.

2 Mpix CMOS senzor

Samsung Electronics vyvinul i 2 Mpix CMOS senzor, který při spotřebě 80 mW a pracovní frekvenci 34 MHz zvládne i snímání 15 fps. Senzor si má údajně vést velmi dobře i ve špatných světelných podmínkách a k pořízení snímku mu postačí již 2 luxy.

8 Gb NAND Flash
Společnosti Samsung se také podařilo vyrobit první flash paměť s použitím 60 nm technologie - po 256 Mb v roce 1999, 512 Mb v roce 2000, 1 Gb v roce 2001, 2 Gb v roce 2002, 4 Gb v roce 2003 dnes firma přichází s 8 Gb řešením, které opět nejméně dvojnásobně zvýší kapacitu používaných paměťových karet (letos se dočkáme již pěkných 16 GB) a zlevní používání flash ROM.

Oproti předchozímu 4 Gb čipu vytvořenému ještě s použitím 70 nm technologie dosahuje 60 nm (asi 1/2000 tloušťky lidského vlasu) 8 Gb verze přibližně 30 % úspory místa. Samsung uvedl, že zvýšení hustoty dosáhl díky použití speciální technologie (dielektrická hradlová izolace), jež snížila interferenci.
Zdroj: Mobilemag
reklama