reklama
Recenze  |  Aktuality  |  Články
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty
Chlazení a skříně
Ostatní
Periférie
Procesory
Storage a RAM
Základní desky
O nás  |  Napište nám
Facebook  |  Twitter
Digimanie  |  TV Freak
Svět mobilně  |  Svět audia

Samsung a technologické novinky v mobilní oblasti

, , článek
Samsung a technologické novinky v mobilní oblasti
Společnost Samsung, to nejsou pouze mobilní telefony, ale také technologická inovace a nové zlepšováky. A s čím že se to Samsung může pochlubit tentokrát? Máme tu jeden mobilní procesor taktovaný na 667 MHz, pak 2 Mpix CMOS senzor a také nový 60 nm flash ROM čip, díky kterému bude možné pohodlně vyrábět paměťové karty až do velikosti 16 GB.
Samsung a technologické novinky v mobilní oblasti

667 MHz procesor

Co se týče PDA, pak společnost Samsung nijak nezaostává za velikány Intelovského typu, o čemž svědčí vydání nového 667 MHz procesoru určeného pro mobilní techniku, ať již smartphony nebo PDA, kterým má přinést opět výrazně rychlejší práci s multimédii a 3D hrami. Soudě dle posledního vývoje se dá očekávat, že Samsung jistě myslel i na vypínání momentálně nepotřebných částí procesoru resp. dynamické změny taktu.

Rychlost procesoru umožní bezproblémovou práci s focením a videem v reálném čase, samozřejmě zvládne i náročné zpracování multmédií, což se mu bude s příchodem displejů vyšších rozlišení na trh jen hodit. CPU Samsung ARM1020E obsahuje 64 kB cache a vestavěný koprocesor pro floating point operace.

2 Mpix CMOS senzor

Samsung Electronics vyvinul i 2 Mpix CMOS senzor, který při spotřebě 80 mW a pracovní frekvenci 34 MHz zvládne i snímání 15 fps. Senzor si má údajně vést velmi dobře i ve špatných světelných podmínkách a k pořízení snímku mu postačí již 2 luxy.

8 Gb NAND Flash
Společnosti Samsung se také podařilo vyrobit první flash paměť s použitím 60 nm technologie - po 256 Mb v roce 1999, 512 Mb v roce 2000, 1 Gb v roce 2001, 2 Gb v roce 2002, 4 Gb v roce 2003 dnes firma přichází s 8 Gb řešením, které opět nejméně dvojnásobně zvýší kapacitu používaných paměťových karet (letos se dočkáme již pěkných 16 GB) a zlevní používání flash ROM.

Oproti předchozímu 4 Gb čipu vytvořenému ještě s použitím 70 nm technologie dosahuje 60 nm (asi 1/2000 tloušťky lidského vlasu) 8 Gb verze přibližně 30 % úspory místa. Samsung uvedl, že zvýšení hustoty dosáhl díky použití speciální technologie (dielektrická hradlová izolace), jež snížila interferenci.
Zdroj: Mobilemag
reklama
reklama
reklama