Samsung chce vést průmysl až ke 4 nm i dál
25.5.2017, Jan Vítek, aktualita
Dosud jsme se zabývali cestou od dnešních 1Xnm technologií přes 7nm až ke 5nm, ovšem Samsung chce jít i dále, a to dříve, než se čekalo. Už za několik let by tak měla být aktuální jeho 4nm technologie, k níž chce dospět jako první.
Nedávno jsme se podívali na plány firem TSMC, Samsung, GloFo a Intel, ovšem od té doby se právě v plánech Samsungu mnohé změnilo. V době, kdy v posledních letech vedoucí Intel má ještě stále využívat 10nm proces, chce Samsung už vyrábět 4nm EUV technologií.
Dr. Kinam Kim (prezident polovodičové divize Samsungu) uváděn na pódium Samsung Foundry Forum 2017
Samsung chce v příštích letech do praxe zavést technologii Extreme Ultraviolet Lithography (EUV), kterou již dobře známe jako takový vaporware v oblasti výroby křemíkových čipů, a pak také svou vlastní Fully Depleted SOI (FDSOI) technologii. Té se chce ostatně věnovat také firma GlobalFoundries. Na co se tak Samsung chystá? Není toho zrovna málo.
Tabulka uvádí již dávno existující i právě horce aktuální procesy, přičemž my se budeme věnovat především procesům FinFET a pak také novému GAA. To je právě onen 4nm proces, který už by měl nastoupit za aktuální FinFET, čili od něj můžeme očekávat už odlišnou stavbu tranzistorů. Co se týče stavu procesů, u všech dosud běžně nepoužívaných je uvedeno Risk Production, čili zkušební výroba nepočítající s vysokou výtěžností. Samsung přitom nechtěl být nijak veřejně specifický v tom, ve kterém období roku má taková výroba započít.
Co se týče už zanedlouho aktuálních procesů LPU, pak v případě toho 14nm jde o nástupce 14LPP, čili procesu, jakým v GlobalFoundries vyrábějí i čipy Polaris a Ryzen. Samsung slibuje, že nový LPU nabídne o 15 procent vyšší výkon. A pak tu je také nový 8nm LPP, což bude pravděpodobně poslední FinFET, který využije argon-fluoridovou litografii (ArF), po níž už nastoupí velice dlouho ocekávaná EUV. Samsung totiž očekává, že za tímto bodem už bude cena litografických masek a vůbec celkové výroby tak vysoká, že už se nevyplatí ve srovnání s EUV. Z toho můžeme tušit, že pokud nástup EUV nebude dle představ firem, stále bude možné pokračovat s tradiční litografií. To se ostatně děje už přibližně deset let.
Pak už tak chce Samsung postupně vylepšovat EUV technologie až na 5nm proces LPP. Jak do toho spadají fialově znázorněné procesy? Ty jsou jednoduše určeny těm zákazníkům, kteří nepotřebují stavět své čipy na tom nejlepším a nejdražším.
A pak tu máme červeného solitéra, technologii GAA (Gate All Around), jejíž název dává tušit, že půjde o další přepracování designu samotných tranzistorů, podobně jako když nastoupila za rovinné tranzistory technologie FinFET (u Intelu už v rámci 22nm technologie to byly tranzistory 3D tri-gate). O podrobnostech ohledně GAA se však už zpráva nezmiňuje.
Zdroj: Extremetech
Dr. Kinam Kim (prezident polovodičové divize Samsungu) uváděn na pódium Samsung Foundry Forum 2017
Samsung chce v příštích letech do praxe zavést technologii Extreme Ultraviolet Lithography (EUV), kterou již dobře známe jako takový vaporware v oblasti výroby křemíkových čipů, a pak také svou vlastní Fully Depleted SOI (FDSOI) technologii. Té se chce ostatně věnovat také firma GlobalFoundries. Na co se tak Samsung chystá? Není toho zrovna málo.
Tabulka uvádí již dávno existující i právě horce aktuální procesy, přičemž my se budeme věnovat především procesům FinFET a pak také novému GAA. To je právě onen 4nm proces, který už by měl nastoupit za aktuální FinFET, čili od něj můžeme očekávat už odlišnou stavbu tranzistorů. Co se týče stavu procesů, u všech dosud běžně nepoužívaných je uvedeno Risk Production, čili zkušební výroba nepočítající s vysokou výtěžností. Samsung přitom nechtěl být nijak veřejně specifický v tom, ve kterém období roku má taková výroba započít.
Co se týče už zanedlouho aktuálních procesů LPU, pak v případě toho 14nm jde o nástupce 14LPP, čili procesu, jakým v GlobalFoundries vyrábějí i čipy Polaris a Ryzen. Samsung slibuje, že nový LPU nabídne o 15 procent vyšší výkon. A pak tu je také nový 8nm LPP, což bude pravděpodobně poslední FinFET, který využije argon-fluoridovou litografii (ArF), po níž už nastoupí velice dlouho ocekávaná EUV. Samsung totiž očekává, že za tímto bodem už bude cena litografických masek a vůbec celkové výroby tak vysoká, že už se nevyplatí ve srovnání s EUV. Z toho můžeme tušit, že pokud nástup EUV nebude dle představ firem, stále bude možné pokračovat s tradiční litografií. To se ostatně děje už přibližně deset let.
Pak už tak chce Samsung postupně vylepšovat EUV technologie až na 5nm proces LPP. Jak do toho spadají fialově znázorněné procesy? Ty jsou jednoduše určeny těm zákazníkům, kteří nepotřebují stavět své čipy na tom nejlepším a nejdražším.
A pak tu máme červeného solitéra, technologii GAA (Gate All Around), jejíž název dává tušit, že půjde o další přepracování designu samotných tranzistorů, podobně jako když nastoupila za rovinné tranzistory technologie FinFET (u Intelu už v rámci 22nm technologie to byly tranzistory 3D tri-gate). O podrobnostech ohledně GAA se však už zpráva nezmiňuje.
Zdroj: Extremetech
