Samsung: nástupce DDR4 dosáhne 6,4 GHz
7.9.2015, Jan Vítek, aktualita
Svět PC nyní zažívá velký nástup pamětí DDR4, které podporuje nová generace procesorů Core "Skylake" a počítá s nimi také AMD u svých chystaných procesorů a APU. Co ale přijde dál? Samsung má odpověď.
Samsung jako jeden z největších výrobců pamětí DRAM samozřejmě vidí do budoucna a už chystá jejich nástupce. Nemluví se o DDR5 ale prostě o pamětech, které přijdou po DDR4, však označení DDR5 by evokovalo spojení s dnešními GDDR5, jež ale nebudou mít s chystanými paměťmi mnoho společného. Přesto se ale v některých slidech prezentace o DDR5 mluví, ale s otazníkem. Spíše je ale uveden termín Post-DDR4.
Nemůžeme očekávat, že nástupci DDR4 dorazí již brzy, ale mohlo by to být dříve, než to trvalo právě pamětem DDR4. Ty sice začaly být vyvíjeny dva roky před vypuštěním DDR3 na trh, tedy v roce 2005. Trvalo tedy devět let, než se dostaly na trh a sedm let byly tedy paměti DDR3 ve světě PC to nejlepší, co bylo k dostání. Dle Samsungu se první nástupci DDR4 objeví již v roce 2018, ovšem pouze v podobě prototypů. Jejich komerční dostupnost nastane až někdy po roce 2020, takže lze říci, že DDR4 mají před sebou podobnou životnost jako DDR3.
I tyto nové paměti budou určeny pro servery, které se jich pravěpodobně dočkají nejdříve, desktopy a notebooky, čili je nezbytné, aby byly dobře škálovatelné z hlediska kapacity, výkonu, spotřeby a nákladů na výrobu. Budou tu tedy nástupci pro paměti LPDDR4 pro mobilní počítače a zařízení, ovšem ty nejvýkonnější počítače či hardware vůbec bude využívat další generace pamětí HBM (High-Bandwidth Memory), jejichž éru odstartovaly karty AMD Radeon R9 Fury X.
Samsung na Intel Developer Forum zveřejnil své předběžné cíle, které se týkají nástupců DDR4. Ty by měly pracovat na frekvenci až 6,4 GHz, čili budou schopny v rámci jednoho modulu přenášet data rychlostí až 51,2 GB/s. Kapacita jednotlivých čipů pak má vzrůst z dnešních 4 a 8 Gb na 32 Gb, čili mainstreamové paměťové moduly s osmi čipy tak nabídnou kapacitu 32 GB. To bude opět důležité především pro servery a pracovní stanice, které zdaleka nejvíce potřebují vysokou kapacitu RAM.
Dále se počítá s tím, že paměťové čipy budou už vyráběny procesy pod 10nm, s čímž snad nebude problém. Však 10nm výrobu čipů již chystá TSMC a sám Samsung, a to jde o procesy pro složité čipy jako CPU a GPU a ne jednoduché paměťové čipy. Nové paměti mají také řešit některé problémy, které mají dnešní DDR4. Jednak jde o maximální frekvenci kolem 4,26 GHz (dle JEDEC), který by tedy měla vzrůst na 6,4 GHz, jak už bylo řečeno a pak je tu také problém s tím, že do jednoho kanálu mohou být zapojeny pouze dva paměťové moduly, aniž by se využil speciální buffer. Vrstvené DDR4 také mají své omezení v počtu jednotlivých vrstev. Samsung ale musí počítat, že řešení přinese i nutné změny v paměťové architektuře, přičemž se počítá i s tím, že se možná využije optické rozhraní a také 2.5D nebo 3D pouzdra pro čipy.
Nástupci DDR4 jsou tedy ve vývoji a zatím se o nich nedá říci téměř nic určitého a mluvit můžeme pouze o cílech, které si Samsung stanovil. Jak k nim tedy chce dospět, to už je jiná otázka. Jasno budeme mít až někdy v roce 2018 a pak bude ještě záležet na tom, zda DDR4 budou či nebudou stále stačit a vůbec na situaci na trhu.
Zdroj: KitGuru
Nemůžeme očekávat, že nástupci DDR4 dorazí již brzy, ale mohlo by to být dříve, než to trvalo právě pamětem DDR4. Ty sice začaly být vyvíjeny dva roky před vypuštěním DDR3 na trh, tedy v roce 2005. Trvalo tedy devět let, než se dostaly na trh a sedm let byly tedy paměti DDR3 ve světě PC to nejlepší, co bylo k dostání. Dle Samsungu se první nástupci DDR4 objeví již v roce 2018, ovšem pouze v podobě prototypů. Jejich komerční dostupnost nastane až někdy po roce 2020, takže lze říci, že DDR4 mají před sebou podobnou životnost jako DDR3.
I tyto nové paměti budou určeny pro servery, které se jich pravěpodobně dočkají nejdříve, desktopy a notebooky, čili je nezbytné, aby byly dobře škálovatelné z hlediska kapacity, výkonu, spotřeby a nákladů na výrobu. Budou tu tedy nástupci pro paměti LPDDR4 pro mobilní počítače a zařízení, ovšem ty nejvýkonnější počítače či hardware vůbec bude využívat další generace pamětí HBM (High-Bandwidth Memory), jejichž éru odstartovaly karty AMD Radeon R9 Fury X.
Samsung na Intel Developer Forum zveřejnil své předběžné cíle, které se týkají nástupců DDR4. Ty by měly pracovat na frekvenci až 6,4 GHz, čili budou schopny v rámci jednoho modulu přenášet data rychlostí až 51,2 GB/s. Kapacita jednotlivých čipů pak má vzrůst z dnešních 4 a 8 Gb na 32 Gb, čili mainstreamové paměťové moduly s osmi čipy tak nabídnou kapacitu 32 GB. To bude opět důležité především pro servery a pracovní stanice, které zdaleka nejvíce potřebují vysokou kapacitu RAM.
Dále se počítá s tím, že paměťové čipy budou už vyráběny procesy pod 10nm, s čímž snad nebude problém. Však 10nm výrobu čipů již chystá TSMC a sám Samsung, a to jde o procesy pro složité čipy jako CPU a GPU a ne jednoduché paměťové čipy. Nové paměti mají také řešit některé problémy, které mají dnešní DDR4. Jednak jde o maximální frekvenci kolem 4,26 GHz (dle JEDEC), který by tedy měla vzrůst na 6,4 GHz, jak už bylo řečeno a pak je tu také problém s tím, že do jednoho kanálu mohou být zapojeny pouze dva paměťové moduly, aniž by se využil speciální buffer. Vrstvené DDR4 také mají své omezení v počtu jednotlivých vrstev. Samsung ale musí počítat, že řešení přinese i nutné změny v paměťové architektuře, přičemž se počítá i s tím, že se možná využije optické rozhraní a také 2.5D nebo 3D pouzdra pro čipy.
Nástupci DDR4 jsou tedy ve vývoji a zatím se o nich nedá říci téměř nic určitého a mluvit můžeme pouze o cílech, které si Samsung stanovil. Jak k nim tedy chce dospět, to už je jiná otázka. Jasno budeme mít až někdy v roce 2018 a pak bude ještě záležet na tom, zda DDR4 budou či nebudou stále stačit a vůbec na situaci na trhu.
Zdroj: KitGuru
