Recenze  |  Aktuality  |  Články
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty
Chlazení a skříně
Ostatní
Periférie
Procesory
Storage a RAM
Základní desky
O nás  |  Napište nám
Facebook  |  Twitter
Digimanie  |  TV Freak
Svět mobilně  |  Svět audia

Samsung o příštích generacích pamětí: DDR6, GDDR6+, GDDR7 a HBM3

, , aktualita
Samsung o příštích generacích pamětí: DDR6, GDDR6+, GDDR7 a HBM3
Aktuálně tu máme zbrusu nové paměti DDR5, kterým bude ještě nějaký ten pátek trvat, než se zabydlí na trhu, což jim aktuální všeobecný nedostatek kde čeho zrovna neusnadňuje. Ale co bude dál? 
Samsung o příštích generacích pamětí: DDR6, GDDR6+, GDDR7 a HBM3
Informace ze Samsung Tech Day 2021 prezentované serverem Computerbase se tak týkají budoucích generací pamětí DDR a GDDR, čili nyní již jde o DDR6 a vedle nich pak GDDR7. Dnes bychom přitom řekli, že dříve asi mohou nastoupit právě GDDR7, i když i to bude znamenat alespoň tři roky vzdálenou budoucnost. I generace NVIDIA Ada Lovelace se má totiž spoléhat na paměti GDDR6X (přinejlepším), zatímco AMD si dokonce má i v případě RDNA 3 díky své Infinity Cache vystačit s prostými GDDR6, ale to jsou pochopitelně informace založené na fámách leakerů, apod.
 
 
Jaký tedy máme výhled do budoucna? Samsung už má ve vývoji paměti DDR6, které si chystá ve verzi 12800 MT/s. To dle doprovodné tabulky nepředstavuje základ, ale maximum dle specifikací JEDEC, čili obdobu dnešních DDR4-3200. Je tak jasné, že tu budou i rychlejší moduly než DDR6-12800 a už nyní se dozvídáme, že se očekávají přetaktované verze pracující i v podobě DDR6-17000. Zda se takováto úroveň už přiblíží skutečnému maximu, to se teprve ukáže. 
 
 
DDR6 by ale také měly opět zdvojnásobit svůj počet interních kanálů, čili jich budou mít čtyři oproti dvěma v DDR5. Z hlediska procesoru by ale jeden modul měl být snad stále jednokanálový stejně jako v případě DDR5. A oproti DDR4 by DDR6 měly mít čtyřnásobek paměťových banků, čili 64. 
 
Grafické GDDR7 očividně naváží na dnešní GDDR6 a GDDR6X a dle Samsungu lze počítat s propustností až 32 Gb/s na pin. Jenomže tak jednoduché to nebude, neboť se tu mluví i o GDDR6+ a vypadá to, že půjde o vylepšení původního GDDR6, čili bez PAM4 v GDDR6X, které tak zřejmě zůstanou stranou. 
 
GDDR6+ by měly navázat na 18Gb/s verze GDDR6, které chce Samsung už brzy vyrábět na svém 1Znm procesu a ostatně právě ty dle leakerů plánuje využít AMD ve svých RDNA 3. V případě GDDR6+ máme počítat s propustností až 24 Gb/s. Co to tedy znamená v reálném nasazení? 
 
Když si vezmeme takový Radeon RX 6800/6800XT/6900, pak ten s GDDR6 na 256bitové sběrnici a se 16 Gb/s na pin nabízí 512 GB/s. Příští generace by tak měla s 18Gb/s GDDR6 dosáhnout na 576 GB/s, pokud by využila GDDR6+, pak by to bylo až 768 MB/s a s GDDR7 dokonce plný 1 TB/s. 
 
A to přitom počítáme s běžnou 256bitovou sběrnicí, zatímco NVIDIA dnes využívá až 384 bitů (RTX 3090/3080Ti) a na takové by GDDR7 poskytly 1,5 TB/s. Není ale jasné, kdy by mohly GDDR6+ dorazit na trh, natož pak GDDR7 a jak do toho vůbec spadá další vývoj standardu GDDR6X. Ten je zatím čistě jen záležitostí spolupráce NVIDIE a Micronu, čili GDDR6+ by šlo označit za jeho alternativu od Samsungu, jenomže to nám nic neřekne o možných produktech, které ji využijí.
 
Dozvídáme se ale aspoň to, že Samsung se ve druhém kvartálu příštího roku chystá spustit masovou výrobu pamětí HBM3


reklama