Samsung odstartoval výrobu 5. generace V-NAND

Samsung Electronics je v čele výrobců pamětí typu NAND Flash, a tak není divu, že už pomalu opouští i 64vrstvé paměti a přechází na masovou výrobu další generace V-NAND, jak nazývá své vrstvené paměti. Chlubí se přitom prvním reálným nasazením pamětí s rozhraním Toggle DDR 4.0, které mají zajistit o 40 procent vyšší propustnost oproti 4. generaci a také se máme dočkat vyšších rychlostí zápisu díky snížené latenci na 500 mikrosekund (o 30 procent méně) a odezva time-to-read byla snížena na 50 μs.

 

 

Spotřeba nových V-NAND je srovnatelná s předchozími 64vrstvými paměťmi, což však představuje zlepšení, protože nové paměti mají 96 vrstev, a tedy i vyšší kapacitu. Dosaženo toho bylo snížením pracovního napětí z 1,8 V na 1,2 V. 

 

Samsung ve své tiskové zprávě mluví celkem obšírně a mimo jiné se z ní nedozvíme ani přesný počet vrstev. Mluví se o "více než 90 vrstvách", takže přesnější informace musíme hledat jinde. Výrobce se chlubí, že každý čip obsahuje více než 85 miliard CTF buněk (Charge Trap Flash) a do každé patří celkem tři bity informace. To víceméně odpovídá tomu, že čipy mají kapacitu 256 Gb, čili 32 GB. Jednotlivé vrstvy v nich jsou propojeny mikroskopickými kanálky, které jsou široké pouze pár set nanometrů. 

 

Dále se Samsungu dle jeho slov povedlo zvýšit produktivitu výroby o 30 procent, ale už neříká, zda se to týká vyloženě výtěžnosti, nebo i něčeho jiného. Zmiňuje ale také, že výška každé vrstvy se zmenšila o pětinu, takže ve výsledku nám čipy moc nevyrostly i přes vrstvy navíc. Samsung také plánuje představit i 1Tb paměti, které tentokrát využijí paměťové buňky QLC se čtyřmi ukládanými bity. Nyní se ale chystá co nejrychleji rozšiřovat výrobu nových 96vrstvých TLC pamětí, aby je mohl použít ve svých produktech pro superpočítače, servery, ale na druhé straně i výkonné chytré telefony. 

 

Zdroj: TZ Samsung