Samsung představí 280vrstvé QLC čipy s rekordní hustotou

Paměti typu NAND postupně zlevňují, nabírají na rychlosti (za některých podmínek), ale současně také dělají ústupky. Je dlouhodobým trendem zvyšování počtu bitů uložených v buňkách, což významným způsobem snižuje cenu takových pamětí (a ve výsledku tak za stejnou cenu navyšuje kapacitu), na druhou stranu to negativně ovlivňuje rychlost (resp. ta neroste tak rychle, jak by mohla). Společnost Samsung chce na konferenci International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) ukázat svůj nový počin, 280vrstvé 1Tb paměťové čipy QLC 3D-NAND.

 

Díky navýšenému počtu vrstev totiž slibují rekordně vysokou hustotu dat 28,5 Gb/mm2, přičemž nynější rekord je 19,8 Gb/mm2 v případě 232vrstvých pamětí společnosti YMTC. To dělá 44% nárůst hustoty. Další pozitivní zprávou je navýšení rychlosti. Původně měly nabízet 2,4 Gbps na pin, nyní se hovoří o 3,2 Gbps na pin. Otázkou pochopitelně zůstává, ve kterých produktech budou tyto paměti použity, a zda skutečně povedou k výraznějšímu snížení cen a navýšení kapacit. SSD řady QVO s QLC čipy Samsungu totiž k moc levným zrovna nepatří.

 

Zdroj: techradar.com