Samsung představuje vrstvené paměti GDDR6W s vyšší hustotou

Vývoj pamětí pro grafické karty pokračuje a společnost Samsung nyní představuje nový typ GDDR6W. Ty využívají technologii Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) a jejich zásadním přínosem je to, že využívají vrstvení čipů na sebe. Při stejné ploše jako u pamětí GDDR6 mají díky nové struktuře dvojnásobně vyšší kapacitu a z 16Gb čipů se nyní dostáváme na 32Gb (4GB) čipy. Další změnou je to, že dvě vrstvy dohromady také přináší dvojnásobné množství pinů a jeden čip tak nyní nemá 32bitové, ale 64bitové rozhraní. Pokud tak výrobce umístí na kartu stejné množství čipů jako dnes, kapacita grafické paměti se zdvojnásobí a totéž se týká přenosových rychlostí.

 

 

Díky FOWLP se paměti umísťují přímo na křemíkový wafer a ne PCB, což navzdory vrstvení snižuje výšku z 1,1 mm na pouhých 0,7 mm. Celé řešení má také vylepšovat rozvod tepla, které je tak na podobné úrovni jako u tradičních GDDR6 pamětí i přes menší výšku výsledného čipu. Pokud by výrobce dnes použil osm 24Gbps paměťových čipů GDDR6X, dosáhl by 256bitové sběrnice, kapacity 16 GB a rychlosti 768 GB/s. V případě GDDR6W a 22Gbps modelů by 8 čipů znamenalo kapacitu 32 GB, 512bitovou sběrnici a díky širší sběrnici rychlost až 1,4 TB/s. Tím se značně přibližuje pamětem HBM2E, které by s 3,2Gbps čipy a 4096bitovou sběrnicí nabídly 1,6 TB/s. Výhodou je pak ve výsledku také mnohem jednodušší a levnější konstrukce ve srovnání s HBM2E.

 

 

Samsung se nyní snaží o standardizaci pamětí GDDR6W a očekává jejich nasazení v mobilní sféře i naopak u vysoce výkonných akcelerátorů (HPC, AI).

 

 

Zdroj: wccftech.com, samsung.com