Můžeme tedy očekávat, že se využijí na nových kartách, ovšem ne nutně u příští generace grafických čipů, ale třeba už u té stávající. Výrobci si tedy pouze připraví nové modely karet, které by mohly nabídnout celkově vyšší kapacitu paměti. Nicméně AMD se dle všeho s novým Radeonem R9 380X chystá nabídnout i zcela nový typ pamětí HBM, což je zkratka pro High Bandwidth Memory. Pokud tomu tak skutečně bude, stejně to neznamená, že GDDR5 chystá v brzké době odchod do křemíkového nebe. Však dnes jde o nejpoužívanější typ pamětí na samostatných grafických kartách.
Nové paměti od Samsungu budou navíc využity nejen v herních kartách pro PC a notebooky, ale také v superpočítačích a herních konzolích. Samsung také slibuje, že jeho nové paměti nabídnou velmi vysokou datovou propustnost, a to 8 Gb/s na jeden pin (dosavadní mají 7 Gb/s), což poněkud nelogicky srovnává s paměťmi DDR3 DRAM využívanými v některých slabších mobilních grafických kartách a říká, že jeho nové čipy GDDR5 jsou více než čtyřikrát rychlejší a každý pracuje s 32bitovým I/O rozhraním.
U karty se 128bitovým rozhraním tak paměťový systém dosáhne celkové kapacity paměťového systému 4 GB. Na jeden pin přitom můžeme počítat s 1 GB/s propustnosti, takže pak už jsou počty jednoduché - 128bitové rozhraní zajistí teoretickou propustnost 128 GB/s.
Samsung rovněž ohlásil, že s příchodem nových 20nm 8Gb pamětí GDDR5 téměř zkompletoval své portfolium 8Gb produktů DRAM vyráběných 20nm procesem, čímž pokryl všechny potřebné trhy. Zbývá mu produkci 20nm čipů DRAM ještě rozšířit o další 4Gb, 6Gb a 8Gb paměti. Trošku pozadu je společnost Micron, která má zatím hotové vzorky srovnatelných pamětí, jež měly v tomto týdnu odcestovat k firemním partnerům.
Zdroj: Hexus.net
Nové paměti od Samsungu budou navíc využity nejen v herních kartách pro PC a notebooky, ale také v superpočítačích a herních konzolích. Samsung také slibuje, že jeho nové paměti nabídnou velmi vysokou datovou propustnost, a to 8 Gb/s na jeden pin (dosavadní mají 7 Gb/s), což poněkud nelogicky srovnává s paměťmi DDR3 DRAM využívanými v některých slabších mobilních grafických kartách a říká, že jeho nové čipy GDDR5 jsou více než čtyřikrát rychlejší a každý pracuje s 32bitovým I/O rozhraním.
U karty se 128bitovým rozhraním tak paměťový systém dosáhne celkové kapacity paměťového systému 4 GB. Na jeden pin přitom můžeme počítat s 1 GB/s propustnosti, takže pak už jsou počty jednoduché - 128bitové rozhraní zajistí teoretickou propustnost 128 GB/s.
Samsung rovněž ohlásil, že s příchodem nových 20nm 8Gb pamětí GDDR5 téměř zkompletoval své portfolium 8Gb produktů DRAM vyráběných 20nm procesem, čímž pokryl všechny potřebné trhy. Zbývá mu produkci 20nm čipů DRAM ještě rozšířit o další 4Gb, 6Gb a 8Gb paměti. Trošku pozadu je společnost Micron, která má zatím hotové vzorky srovnatelných pamětí, jež měly v tomto týdnu odcestovat k firemním partnerům.
Zdroj: Hexus.net
