Samsung uvádí 12vrstvé paměti HBM3E, přináší kapacitu 36 GB na čip

Výpočetní karty dnes nezřídka využívají extrémně rychlých pamětí HBM. Ty jsou důležité pro úlohy AI, kde je potřeba vysoké přenosové rychlosti i kapacity. Obojí řeší nové paměťové čipy HBM3E 12H od společnosti Samsung. Novinka je tvořena 12 vrstvami paměťových buněk, nicméně Samsung potřeboval dodržet standardní výšku čipů, takže potřeboval udělat jednotlivé vrstvy tenčími. To se povedlo úpravou filmu TC NCF, který má nyní menší tloušťku. Povedlo se také odstranit prázdná místa mezi vrstvami, takže se vertikální hustota proti 8vrstvým modelům HBM3 8H zvýšila o 20 %. Povedlo se také optimalizovat proces vrstvení a spojování, čímž se zvýšila i výtěžnost výroby (a tím v podstatě snížit výrobní náklady na kus).

 

To ale nejsou jediná vylepšení. Díky o 50 % vyššímu počtu vrstev tu máme také o 50 % vyšší kapacitu, která vzrostla na 36 GB na čip. Maximální přenosová rychlost jednoho čipu je 1280 GB/s. Samsung tvrdí, že trénování AI by díky novince mělo být o 34 % rychlejší, přičemž při inferenci AI (běhu již natrénovaných systémů) by měly zvládat 11,5krát více současně pracujících uživatelů. Samsung už dodává první vzorky zákazníkům a ještě v první polovině letošního roku by měla být zahájena i velkosériová výroba.

 

Zdroj: news.samsung.com