Samsung uvádí 40nm flash paměti NAND
11.9.2006, Milan Šurkala, aktualita
Společnost Samsung uvedla, že jako první vyvinula 40nm paměť NAND. Čip má kapacitu 32Gbit a jako první používá novou architekturu CTF (Charge Trap Flash). Ta by měla dle výrobce zvýšit efektivitu výroby a výrazně zvýšit i výkon pamětí. Nové...
Společnost Samsung uvedla, že jako první vyvinula 40nm paměť NAND. Čip má kapacitu 32Gbit a jako první používá novou architekturu CTF (Charge Trap Flash). Ta by měla dle výrobce zvýšit efektivitu výroby a výrazně zvýšit i výkon pamětí.
Nové CTF NAND paměti by měly mít vyšší spolehlivost díky nižšímu rušení sousedních buněk, zvýšila se škálovatelnost a do budoucna je ve vyhlídce nejen 40nm výroba, ale i 30nm a 20nm. V představené 32Gbit paměti má řídící hradlo (control gate) pouze 20% velikost normálního řídícího hradla. plovoucí hradlo (floating gate) zde dokonce úplně chybí.
Místo toho jsou data udržována v jakési komoře (holding chamber) skládající se z nevodivé vrstvy SiN. Výsledkem je vyšší spolehlivost a lepší řízení proudu. CTF využívá strukturu TANOS, která se skládá z tantalu (vzácný kov), oxidu hliníku (high-k materiál), nitridů, oxidů a křemíku. 32Gbit čipy mohou být použity v paměťových kartách až do kapacity 64GB.
Zdroj: www.samsung.com
Nové CTF NAND paměti by měly mít vyšší spolehlivost díky nižšímu rušení sousedních buněk, zvýšila se škálovatelnost a do budoucna je ve vyhlídce nejen 40nm výroba, ale i 30nm a 20nm. V představené 32Gbit paměti má řídící hradlo (control gate) pouze 20% velikost normálního řídícího hradla. plovoucí hradlo (floating gate) zde dokonce úplně chybí.
Místo toho jsou data udržována v jakési komoře (holding chamber) skládající se z nevodivé vrstvy SiN. Výsledkem je vyšší spolehlivost a lepší řízení proudu. CTF využívá strukturu TANOS, která se skládá z tantalu (vzácný kov), oxidu hliníku (high-k materiál), nitridů, oxidů a křemíku. 32Gbit čipy mohou být použity v paměťových kartách až do kapacity 64GB.
Zdroj: www.samsung.com
