reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Samsung uvádí 40nm flash paměti NAND

11.9.2006, Milan Šurkala, aktualita
Samsung uvádí 40nm flash paměti NAND
Společnost Samsung uvedla, že jako první vyvinula 40nm paměť NAND. Čip má kapacitu 32Gbit a jako první používá novou architekturu CTF (Charge Trap Flash). Ta by měla dle výrobce zvýšit efektivitu výroby a výrazně zvýšit i výkon pamětí. Nové...
Společnost Samsung uvedla, že jako první vyvinula 40nm paměť NAND. Čip má kapacitu 32Gbit a jako první používá novou architekturu CTF (Charge Trap Flash). Ta by měla dle výrobce zvýšit efektivitu výroby a výrazně zvýšit i výkon pamětí.



Nové CTF NAND paměti by měly mít vyšší spolehlivost díky nižšímu rušení sousedních buněk, zvýšila se škálovatelnost a do budoucna je ve vyhlídce nejen 40nm výroba, ale i 30nm a 20nm. V představené 32Gbit paměti má řídící hradlo (control gate) pouze 20% velikost normálního řídícího hradla. plovoucí hradlo (floating gate) zde dokonce úplně chybí.

Místo toho jsou data udržována v jakési komoře (holding chamber) skládající se z nevodivé vrstvy SiN. Výsledkem je vyšší spolehlivost a lepší řízení proudu. CTF využívá strukturu TANOS, která se skládá z tantalu (vzácný kov), oxidu hliníku (high-k materiál), nitridů, oxidů a křemíku. 32Gbit čipy mohou být použity v paměťových kartách až do kapacity 64GB.

Zdroj: www.samsung.com
Autor: Milan Šurkala
Vystudoval doktorský program v oboru informatiky a programování se zaměřením na počítačovou grafiku. Nepřehlédněte jeho seriál Fotíme s Koalou o základech fotografování.
reklama