Samsung uvedl 256Mbit pseudo-SRAM (UtRAM)
6.9.2005, Milan Šurkala, aktualita
Společnost Samsung jako první na světě představila 256Mbit paměť UtRAM (Uni-Tranzistor Random Access Memory), ta je vyráběna 90nm výrobním procesem. UtRAM nabízí vysokou rychlost a hustotu dat pro mobilní telefony, počítače do ruky a jim...
Společnost Samsung jako první na světě představila 256Mbit paměť UtRAM (Uni-Tranzistor Random Access Memory), ta je vyráběna 90nm výrobním procesem. UtRAM nabízí vysokou rychlost a hustotu dat pro mobilní telefony, počítače do ruky a jim podobná malá zařízení.
Paměť pracuje na frekvenci 133MHz, čímž jí patří post nejrychlejší pseudo-SRAM paměti. To je 1,7× více než dosavadní pseudo-RAM paměti operující při frekvenci 80MHz. Masová produkce UtRAM pamětí by měla začít do konce roku 2005, první vzorky by měly být k dispozici ještě tento měsíc.
Protože Pseudo-SRAM pamětí nedisponují pipeline architekturou, je jejich spotřeba ve srovnání s DRAM pamětmi minimální, Samsung to trefně nazývá jako "near-zero-power". Společnost také doufá, že jí tyto paměti pomohou zvýšit podíl na trhu pseudo-SRAM pamětí. Doposud má asi 30%, je plánován průměrně 33% přírůstek do roku 2008.
Zdroj: www.samsung.com, www.theinquirer.net
Paměť pracuje na frekvenci 133MHz, čímž jí patří post nejrychlejší pseudo-SRAM paměti. To je 1,7× více než dosavadní pseudo-RAM paměti operující při frekvenci 80MHz. Masová produkce UtRAM pamětí by měla začít do konce roku 2005, první vzorky by měly být k dispozici ještě tento měsíc.
Protože Pseudo-SRAM pamětí nedisponují pipeline architekturou, je jejich spotřeba ve srovnání s DRAM pamětmi minimální, Samsung to trefně nazývá jako "near-zero-power". Společnost také doufá, že jí tyto paměti pomohou zvýšit podíl na trhu pseudo-SRAM pamětí. Doposud má asi 30%, je plánován průměrně 33% přírůstek do roku 2008.
Zdroj: www.samsung.com, www.theinquirer.net
