Samsung začíná hromadnou výrobu 80nm DDR2 pamětí
15.3.2006, Marek Štelčík, aktualita
Společnost Samsung Electronics, světový vůdce na poli s elektronikou, dnes oznámila plný přechod na sériovou výrobu DDR2 pamětí 80nm technologií a vyráběny tak budou 512Mbitové paměťové čipy. Nová technologie pro výrob čipů bude zhruba o...
Společnost Samsung Electronics, světový vůdce na poli s elektronikou, dnes oznámila plný přechod na sériovou výrobu DDR2 pamětí 80nm technologií a vyráběny tak budou 512Mbitové paměťové čipy.
Nová technologie pro výrob čipů bude zhruba o 50% efektivnější než 90nm. Další velké plus je to, že není potřeba žádná větší nákladná modernizace linek a továren pro přechod na nový výrobní proces. Použitá je technologie RCAT (Recess Channel Array Transistor) což umožňuje zvýšení obnovovací frekvence a dále zmenšení rozměru.
Zdroj: vr-zone
Nová technologie pro výrob čipů bude zhruba o 50% efektivnější než 90nm. Další velké plus je to, že není potřeba žádná větší nákladná modernizace linek a továren pro přechod na nový výrobní proces. Použitá je technologie RCAT (Recess Channel Array Transistor) což umožňuje zvýšení obnovovací frekvence a dále zmenšení rozměru.
Zdroj: vr-zone
