Samsung začíná s výrobou 60nm DDR2 pamětí
1.3.2007, Milan Šurkala, aktualita
Nová 60nm výroba paměťových čipů DDR2 DRAM má umožnit o 40% vyšší efektivitu výroby oproti 80nm výrobě díky podstatně menším velikostem čipu. Ve srovnání s dnešní obvyklou 90nm výrobou je to prý dokonce dvakrát tak vyšší efektivita. 1Gb...
Nová 60nm výroba paměťových čipů DDR2 DRAM má umožnit o 40% vyšší efektivitu výroby oproti 80nm výrobě díky podstatně menším velikostem čipu. Ve srovnání s dnešní obvyklou 90nm výrobou je to prý dokonce dvakrát tak vyšší efektivita.
1Gb DRAM čipy umožní výrobu 512MB, 1GB a 2GB modulů. Ty se mají vyrábět s frekvencemi 667MHz a 800MHz. Díky nižším výrobním nákladům by měly dále klesat ceny pamětí. Od 90nm výroby se navíc používá 3D tranzistorové technologie, která umožňuje dále zmenšit velikost čipů a zvýšit výtěžnost. Klíčová technologie Recess Channel Array Transistor (RCAT) je používána již od zmíněných 90nm čipů a předpokládá se, že umožní výrobu 50nm čipů i menších.
Zdroj: www.cdrinfo.com
1Gb DRAM čipy umožní výrobu 512MB, 1GB a 2GB modulů. Ty se mají vyrábět s frekvencemi 667MHz a 800MHz. Díky nižším výrobním nákladům by měly dále klesat ceny pamětí. Od 90nm výroby se navíc používá 3D tranzistorové technologie, která umožňuje dále zmenšit velikost čipů a zvýšit výtěžnost. Klíčová technologie Recess Channel Array Transistor (RCAT) je používána již od zmíněných 90nm čipů a předpokládá se, že umožní výrobu 50nm čipů i menších.
Zdroj: www.cdrinfo.com
