SK Hynix má výkonnější 176vrstvé 4D NAND Flash

SK Hynix tak představuje konkrétně 176vrstvé paměti 4D NAND Flash, přičemž označení 4D tu není proto, že by snad výrobce převibroval do vyšší dimenze. Jde čistě jen o marketing, který tím značí, že se zde využívá design Periphery under Cell, který umístěním ovládacích obvodů pod buňky šetří místem na čipu. Krom toho tento design známe už dlouho. 

 

 

Všímat si můžeme jiných a především nových vlastností ohlášených pamětí, které zatím zahrnují 512Gb verze s buňkami TLC, které firma během listopadu rozeslala svým partnerům. 

 

 

Krom navýšení počtu vrstev se záznamovými buňkami na 176 tu máme dle výrobce také vyšší výkon. 

 

 

Jedná se o třetí generaci 4D NAND Flash od SK Hynix, které mají poskytnout o více než 20 % vyšší výkon při čtení z jednotlivých buněk a také vyšší rychlost "přenosů dat" o 33 % na 1,6 Gbps, což výrobce ale nijak neupřesňuje, respektive nevysvětluje, co konkrétního si pod tím máme představit. Půjde ovšem nejspíše maximální rychlost čtení, kterou měly předchozí 128vrstvé verze na 1,2 Gb/s, čili navýšení o třetinu vychází právě na 1,6 Gb/s. 

 

Výsledné produkty založené na nových pamětech od SK Hynix přinesou nejdříve výrobci mobilních zařízení v rámci nových UFS modulů a očekává se navýšení propustnosti při čtení o 70 % a zápisu o 35 %. 

 

Co se týče SSD pro počítače, pak tyto paměti se dostanou do prvních modelů někdy v polovině příštího roku.

 

Zdroj: SK Hynix