SK hynix vyvinul 12vrstvé paměti HBM3 s kapacitou 24 GB

Společnost SK hynix je známým výrobcem paměťových čipů a její další novinkou jsou paměti HBM3 s neobvyklou kapacitou 24 GB. Ta o 50 % převyšuje stávající 16GB modely, přičemž toto bylo umožněno navrstvením 12 DRAM čipů na sebe. HBM3 jsou navzdory svému názvu už 4. generací těchto pamětí (tou třetí byly HBM2E) a nové 24GB moduly využívají dvě technologie umožňující dosáhnout tohoto výsledku.

 

 

Tou první je MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill), což je metoda spojování čipu pomocí tavení a současného vyplňování mezer vzájemně mezi čipy i čipy a substrátem. TSV (Through Silicon Via) je pak vertikální spojení jednotlivých čipů, které umožnilo dosáhnout velmi vysoké přenosové rychlosti 819 GB/s. SK hynix to přirovnává k přenosu 163 filmů ve Full HD rozlišení za sekundu. Díky TSV se také snížila tloušťka čipu DRAM o výrazných 40 %, takže navzdory většímu počtu vrstev se výška 12vrstvého výsledného čipu v podstatě nezměnila proti původní 16GB variantě s 8 vrstvami. Nové paměti by se měly začít velkosériově vyrábět ještě v tomto pololetí.

 

Zdroj: storagenewsletter.com, skhynix.com