SK Hynix začal vyrábět DRAM pomocí EUV, jaké jsou výhody?
12.7.2021, Jan Vítek, aktualita
![SK Hynix začal vyrábět DRAM pomocí EUV, jaké jsou výhody?](navstevnost-a-redakce/1/img/website-800.jpg)
SK Hynix popisuje výhody masové produkce pamětí DRAM pomocí EUV, které začal v případě LPDDR4 nedávno vyrábět coby 4. generaci pamětí, pro něž byl použit 1anm proces. Jaké tedy jsou tyto výhody?
Dobře víme o tom, že díky extrémní ultrafialové litografii (EUVL) je možné tvořit čipy celkově snadněji v méně krocích, neboť není třeba v rámci klasické DUVL využívat nouzové postupy jako multipatterning, který představuje vytvoření jedné vrstvy více průchody s využitím různých masek. To znamená výraznou úsporu času i nákladů, ovšem jde také o celkový výkon strojů pro EUVL a DUVL, čili dejme tomu waferovou propustnost, náklady na vlastnictví, atp. Jak to tedy vidí SK Hynix?
![](sk-hynix-zacal-vyrabet-dram-pomoci-euv-jake-jsou-vyhody/55471/img/716f8b62-56ee-4862-81b6-22b66546e951.jpg)
SK Hynix jako specialista na výrobu pamětí různých typů tak začal používat EUVL či zkráceně EUV pro své 8Gb paměti LPDDR4 pro mobilní nasazení. Jedná se o 4. generaci pamětí tvořených 1anm procesy a sama firma mluví o celkově ekonomičtějším procesu výroby a také o výhodách pro zákazníky z hlediska výkonu a spotřeby.
Zmíněné paměti LPDDR4 se budou montovat především do telefonů, notebooků či tabletů, které se objeví ještě v tomto roce.
Co je to ale onen 1anm proces? Jak dobře víme, výrobci pamětí obvykle neudávají přesnou hodnotu v nanometrech, takže mluví pouze o jakési třídě a zde je to 1xnm třída, kde si za x můžeme dosadit devítku až nulu. První generace v této třídě se v případě firmy SK Hynix skutečně označovala jako 1xnm, pak přišla 1ynm, 1znm a nyní právě čtvrtá, 1anm. Mělo by to znamenat i postupné přibližování od 19nm k 10nm, ale kdo ví, jak je to ve skutečnosti a zda skutečně reálně dochází k pravidelnému nárůstu tranzistorové hustoty.
SK Hynix konkrétně udává, že oproti 1znm procesu a pamětem, kde EUVL ještě použita nebyla bylo dosaženo až 25% nárůstu počtu čipů DRAM získaných z jednoho waferu. Firma ale už nijak neupřesňuje to, zda jde o vyšší výtěžnost, anebo právě o vyšší tranzistorovou hustotu, či snad vzhledem k onomu číslu možná spíše o kombinaci obojího.
Dále se dozvídáme, že vyrobené paměti obvykle stabilně běží na 4266 Mb/s, čili na nejvyšší rychlosti v rámci standardu LPDDR4, a to při snížené spotřebě o 20 %. Firma také hodlá stejný proces (1anm) použít pro své paměti typu DDR5.
Zdroj: SK Hynix