Toshiba začíná se stavbou továrny pro pokročilé NAND Flash
15.7.2010, Jan Vítek, aktualita
Společnost Toshiba s více než ročním zpožděním, které způsobila finanční a ekonomická krize, začala se stavbou své továrny Fab 5. Ta bude po svém dokončení produkovat paměti typu NAND Flash, a to procesy pod 30 nm. Dokončena má být již na...
Společnost Toshiba s více než ročním zpožděním, které způsobila finanční a ekonomická krize, začala se stavbou své továrny Fab 5. Ta bude po svém dokončení produkovat paměti typu NAND Flash, a to procesy pod 30 nm.
Dokončena má být již na jaře příštího roku a bude stát v japonské prefektuře Mie. Tam zabere celkem 38 tisíc metrů čtverečných.
Vyráběné paměti budou určeny do chytrých mobilních telefonů, tabletů a SSD. Na výrobě se přitom bude podílet také SanDisk, s nímž Toshiba vytvoří ve Fab 5 podnik se společnou majetkovou účastí.
Zdroj: TCM
Dokončena má být již na jaře příštího roku a bude stát v japonské prefektuře Mie. Tam zabere celkem 38 tisíc metrů čtverečných.
Vyráběné paměti budou určeny do chytrých mobilních telefonů, tabletů a SSD. Na výrobě se přitom bude podílet také SanDisk, s nímž Toshiba vytvoří ve Fab 5 podnik se společnou majetkovou účastí.
Zdroj: TCM
