United Microelectronics Corporation, stěžejní společnost na poli polovodičů, včera oznámila, že vyprodukovala své první 45nm SRAM paměti. Tato technologie přináší do procesu výroby nové materiály i nové postupy a firma je na své prvenství patřičně hrdá. Avšak nezmínila se o tom, kdy se chystá uvést nový postup do komerční podoby.
Místo zrodu 45nm SRAM od UMC - FAB 12A, Tainan, Taiwan
Firma k výrobě využila tzv. ponořené litografie, která dovoluje jemnější optické rozlišení, ale zase klade vysoké nároky na čistotu vody mezi optikou a 300mm waferem. Dále byly použity poslední technologické výkřiky jako low-k dielektrika (k=2,5), 'ultra shallow junction' a další techniky. Díky výraznému zmenšení čipu se i snížilo napětí potřebné k uživení pamětí, což je další předpoklad pro příznivý vývoj mobilních zařízení. Oproti 65nm technologii se také buňky zmenšily o 50% a výkon navýšil o 30%. UMC nyní pracuje na tom, aby 45nm technologii připravil pro adopci svými zákazníky.
Zdroj: X-Bit labs
Místo zrodu 45nm SRAM od UMC - FAB 12A, Tainan, Taiwan
Firma k výrobě využila tzv. ponořené litografie, která dovoluje jemnější optické rozlišení, ale zase klade vysoké nároky na čistotu vody mezi optikou a 300mm waferem. Dále byly použity poslední technologické výkřiky jako low-k dielektrika (k=2,5), 'ultra shallow junction' a další techniky. Díky výraznému zmenšení čipu se i snížilo napětí potřebné k uživení pamětí, což je další předpoklad pro příznivý vývoj mobilních zařízení. Oproti 65nm technologii se také buňky zmenšily o 50% a výkon navýšil o 30%. UMC nyní pracuje na tom, aby 45nm technologii připravil pro adopci svými zákazníky.
Zdroj: X-Bit labs
