Výzkumníci vytvořili tranzistory fungující i pro ukládání dat

Na blogu Purdue University se tak píše o průlomu v tom ohledu, že byl po desetiletích nalezen způsob, jak do sebe integrovat prvek pro logické obvody a ukládání dat. Otázka je, k čemu by to mohlo být dobré, respektive jakým způsobem se může taková vlastnost efektivně využít. Lze si představit především tu výhodu, že logické obvody nebudou potřebovat paměť cache, jejíž funkci samy převezmou. Jenomže je tu otázka organizace paměti a toho, co by se mělo a vůbec mohlo podřídit kterému účelu. Co se ale ještě dozvíme ze zprávy?

 

 

Jde o práci týmu, jejž vede profesor Peide Ye (Electrical and Computer Engineering, Purdue). Ten využil k vytvoření nových tranzistorů polovodič, jenž má zároveň feroelektrické vlastnosti, takže se nemusely použít dva různé materiály, čímž odpadly starosti s tím, jak budou spolu fungovat, či do této doby spíše nefungovat. 

 

Ye se svým týmem tak vytvořil tzv. feroelektrický polovodičový FET (Field-Effect Transistor), který může být tvořen stejnými postupy, jaké se dnes využívají pro masovou výrobu počítačových čipů. Klíčový je především kanál vyrobený ze sloučeniny selenu a india (α-In₂Se₃), který má právě ony žádané feroelektrické vlastnosti a fungovat by mohl i v tranzistorech tvořených aktuálně nejpokročilejšími výrobními procesy. 

 

 

Ve zprávě se ale bohužel vůbec nepíše o tom, jaké by takové tranzistory mohly mít praktické využití, snad jen krom toho, že se může ušetřit místo na čipu, který by pak se stejnou plochou mohl být výkonnější.