reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Samsung Foundry chystá svůj 2nm proces na rok 2025

7.10.2021, Jan Vítek, aktualita
Samsung Foundry chystá svůj 2nm proces na rok 2025
I během celé řady příštích let můžeme očekávat vysoké tempo vývoje nových výrobních technologií, přičemž snažit se chce především Intel, který také má co dohánět. A právě v roce 2025 by mohl nastat zlomový okamžik.
Samsung Foundry je dnes víceméně na stejné úrovni jako TSMC, co se týče vývoje, pokud tedy můžeme srovnávat technologie těchto firem na základě udávaného základního rozlišení. 
 
 
Aktuálně již můžeme mluvit o 4nm procesech 4LPE a 4LPP, přičemž Samsung už pomalu chystá velkou změnu, a sice přechod na 3nm procesy a zároveň tranzistory nového typu, čili GAAFET nebo také MBCFET, jak je označuje sama tato firma. Intel zase mluví o RibbonFET, avšak jde stále o to samé. 
 
 
Právě na MBCFET by měl Samsung přejít jako vůbec první výrobce na světě, neboť TSMC bude na svém 3nm procesu N3 využívat ještě stále staré FinFET a nové tranzistory plánuje na příští 2nm proces. Co se týče Intelu, ten je zatím stále pozadu a chce své RibbonFET nasadit až v rámci procesu 20A, který nastoupí nejdříve na konci roku 2024. Ale v takovém případě by už měl začít svou konkurenci dohánět a možná už předehnat alespoň s ohledem na rozlišení. 
 
My se však nyní chceme bavit o dalším kroku firmy Samsung Foundry, a sice o 2nm procesu, o němž se mluvilo včera na Samsung Foundry Forum, ale nejdříve ještě zpět ke 3nm procesu. Tato firma měla technologii pro výrobu čipů s tranzistory MBCFET už v roce 2019, ale samozřejmě jen v rámci prototypů a zkušební produkce, nicméně právě už od té doby svým partnerům nabízela příslušnou designovou sadu, na jejímž základě mohli experimentovat s vývojem čipů využívajících nové tranzistory. 
 
Nyní Samsung potvrzuje, že jeho 3nm proces s MBCFET je na cestě ke spuštění výroby v příštím roce. Jedná se konkrétně o 3GAE (E jako Early), jenž má být pro masovou výrobu čipů spuštěn do konce příštího roku, následovat bude 3GAP (P jako Plus) s cílem spuštění do konce roku 2023 a pokud jde o 2GAP, ta má být připravena v roce 2025. Čili roky 2024 a 2025 je možná právě ty, kdy Intel už z hlediska vyspělosti výrobních procesů dožene přinejmenším Samsung. 
 
Pokud jde o výsledné produkty, pak první z nich obvykle následují cca čtvrt roku po spuštění masové výroby, čili pokud si Samsung vyhrazuje čas do konce uvedených let, zákazníci to poznají možná až v těch následujících.  


reklama