Samsung začal s produkcí 2Xnm a 4Gb LPDDR3
30.4.2013, Jan Vítek, aktualita
Společnost Samsung oznámila, že začala s produkcí 4Gb čipů LPDDR3 Mobile DRAM, které vyrábí pomocí pokročilé technologie označené jako "20nm class", což znamená, že jde o 20 až 29 nm. Výhodou těchto pamětí je, že ač jsou určeny především...
Společnost Samsung oznámila, že začala s produkcí 4Gb čipů LPDDR3 Mobile DRAM, které vyrábí pomocí pokročilé technologie označené jako "20nm class", což znamená, že jde o 20 až 29 nm. Výhodou těchto pamětí je, že ač jsou určeny především pro mobilní zařízení, jejich výkon se dá srovnávat s paměťmi využitými v osobních počítačích, takže budou zcela jistě směřovat do dalších generací výkonných chytrých telefonů a tabletů.
Samsung se rovněž chlubí, že tímto může nabídnout energeticky nejefektivnější mobilní paměti s vysokou kapacitou, čímž pomáhá pohánět celý průmysl s mobilními zařízeními kupředu.
Nové 4Gb LPDDR3 dokáží přenášet data rychlostí 2133 Mbps na jeden pin, což je téměř 3x více než u předchozího standardu LPDDR2 s 800 Mbps. Za jednu sekundu jsou tak nové paměti schopny přenést cca 17 GB, takže oproti 3Xnm pamětem LPDDR3 to je 30% nárůst výkonu při 20% poklesu spotřeby. U takovýchto pamětí je také důležitá prostorová náročnost. V tomto případě můžeme dostat 2 GB s pomocí čtyř čipů v jednom pouzdře, které má na výšku pouze 0,8 mm.
A nakonec jedna menší předpověď. Dle Gartneru čeká trh s paměťmi DRAM meziroční růst o 13 %, aby letos dosáhl na 29,6 mld. USD. Z toho si mají mobilní DRAM uzmout 10 miliard, čili 35 %.
Zdroj: TZ Samsung
Samsung se rovněž chlubí, že tímto může nabídnout energeticky nejefektivnější mobilní paměti s vysokou kapacitou, čímž pomáhá pohánět celý průmysl s mobilními zařízeními kupředu.
Nové 4Gb LPDDR3 dokáží přenášet data rychlostí 2133 Mbps na jeden pin, což je téměř 3x více než u předchozího standardu LPDDR2 s 800 Mbps. Za jednu sekundu jsou tak nové paměti schopny přenést cca 17 GB, takže oproti 3Xnm pamětem LPDDR3 to je 30% nárůst výkonu při 20% poklesu spotřeby. U takovýchto pamětí je také důležitá prostorová náročnost. V tomto případě můžeme dostat 2 GB s pomocí čtyř čipů v jednom pouzdře, které má na výšku pouze 0,8 mm.
A nakonec jedna menší předpověď. Dle Gartneru čeká trh s paměťmi DRAM meziroční růst o 13 %, aby letos dosáhl na 29,6 mld. USD. Z toho si mají mobilní DRAM uzmout 10 miliard, čili 35 %.
Zdroj: TZ Samsung
