SK Hynix předvedl své HBM3: 24 GB na 6,4 Gb/s

Stačí k tomu vědět, že pouzdra s paměťmi HBM mají 1024 bitové rozhraní, čili při propustnosti 6,4 Gb/s na pin nám to dělá výsledných 819 GB/s, což při kapacitě 24 GB představuje výbavu, s níž by si skutečně vystačila i dnešní hi-end herní grafická karta. Ostatně takovému Radeonu RX 6900 XT stačí slabší výbava, a to 16 GB paměti a 512 GB/s. 

 

Nicméně HBM3 je pochopitelně materiál především pro serverový hardware a konkrétně především pro vysoce výkonné AI/ML akcelerátory, ať už budou či nebudou založeny na GPU. Na druhou stranu by především AMD mohlo s využitím svých nejnovějších technologií (respektive technologií firmy TSMC) znovu uvést paměti HBM i do herního světa, když už nepotřebuje využívat velké a drahé interposery, ale stačí mnohem menší křemíkové můstky. Nicméně paměti HBM jsou i samy o sobě drahé a zrovna AMD jde v poslední době spíše cestou zvyšování kapacity cache než datové propustnosti, ale uvidíme. 

 

 

Nové paměti 12-Hi 24GB HBM3-6400 se tak skládají z celkem 12 vrstev DRAM čipů propojených pomocí vertikálních spojů TSV se základovou logickou vrstvou. Jiné společnosti už takové paměti podporují v rámci svých kontrolerů a PHY, ale zatím ještě čekáme na konkrétní produkty, které HBM3 opravdu využijí. Zatím ale také nevíme, v jakém stavu je výroba HBM3 u SK Hynix a z prezentace na OCP Summit je patrné leda to, že jsou k dispozici přinejmenším v podobě vzorků. 

 

 

Pokud jde o ceny pamětí HBM, pak ty zvyšuje krom nutnosti vrstvit na sebe jednotlivé čipy a propojovat je vertikálními spoji do jednoho celku také použití kvalitních substrátů (FPS - Fine-pitch Substrate), na nichž sedí samotné interposery. Odpovědí na to by mohla být technologie H-Cube firmy Samsung.

 

 

Hybrid-Substrate Cube má právě za úkol zlevnit využití pamětí HBM pomocí další vrstvy, tzv. High-Density Interconnection (HDI), která sedí mezi samotnou substrátovou destičkou s jejím interposerem a základní deskou a díky ní může být Fine-pitch Substrate menší a jednodušší. Další vrstva přitom dle Samsungu nemá mít negativní vliv na napájení či kvalitu signálu.

 

Jde ale pouze o jednu z dalších technologii pro moderní pouzdření čipů, a tak uvidíme, zda se s ní v budoucnu vůbec ještě setkáme, nebo zda se z ní stane samozřejmost při výrobě produktů využívajících interposer pro propojení více čipů.