
Jedná se tedy o 16nm paměti NAND Flash s buňkami MLC (Multi Level Cell), z nichž tak každá dokáže uložit dva bity. Takové paměti jsou určeny především pro spotřební SSD. V tomto případě také jde o 64Gb (8GB) paměti, přičemž Hynix má připraveny také 128Gb čipy, jež vstoupí do produkce už na začátku příštího roku.
Jedním z problémů při výrobě paměti NAND Flash je vzájemné rušení buněk, což se při zmenšujícím se výrobním procesu dále zhoršuje. Hynix to v tomto případě řeší pomocí technologie Air-Gap s využitím jakýchsi izolačních štítů s vakuem v malých otvorech, které jsou umístěny mezi obvody.
Dalším krokem pro Hynix tedy je 128Gb MLC NAND Flash, pro což už má takový Samsung od letošního jara alternativu v podobě čipů TLC (Triple Level Cell) se stejnou kapacitou.
Zdroj: techPowerUp