Toshiba vyvinula inovované paměti MRAM a FeRAM
7.2.2006, Milan Šurkala, aktualita
Společnosti Toshiba a NEC spolu vyvinuly vylepšené paměti MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Kombinuje vysokou hustotu dat s vysokou přenosovou rychlostí. Kapacita činí 16Mbit, přenosová rychlost čtení i zápisu je 200MB/s a pracovní...
Společnosti Toshiba a NEC spolu vyvinuly vylepšené paměti MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Kombinuje vysokou hustotu dat s vysokou přenosovou rychlostí. Kapacita činí 16Mbit, přenosová rychlost čtení i zápisu je 200MB/s a pracovní napětí činí 1,8V.
Inovované paměti MRAM mají upravené obvody tak, že větví cesty pro čtení či zápis. Vše vidíte na obrázku. To rovněž snižuje odpor přibližně o 38%, umožňuje dosáhnout vysokých přenosových rychlostí a jeden cyklus tak trvá pouhých 34ns.
Tyto paměti jsou vyráběny 130nm procesem CMOS, vylepšené obvody mají za následek zvětšení hustoty a s plochou 78,7mm2 je tak asi o 30% menší než dosavadní 16Mbit MRAM čipy.
Další novinkou firmy Toshiba je nová paměť FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory). Ta rovněž dosahuje přenosových rychlostí 200MB/s, kapacita ovšem činí 64Mbit. Architektura chainFeRAM zajišťuje menší velikost paměťové buňky.
K dispozici je rovněž ECC. Kombinuje prvky DRAM a SRAM se schopností udržet si data i při vypnutí napájení jako u Flash pamětí. DRAM paměti se totiž musí neustále obnovovat, což sice SRAM paměti nemusí, ty ale stejně musí být udržovány pod napětím, jinak se obsah ztratí. FeRAM funguje podobně jako SRAM, informace je udržena v paměťové buňce dokud nedojde ke čtení. Pouze v tomto případě se musí obsah obnovit, protože čtení obsah ničí.
Paměti jsou vyráběny 130nm CMOS procesem. Jeden cyklus trvá 60ns, přičemž napájecí napětí činí 3,3V nebo 2,5V což není málo, ale díky absenci obnovování obsahu jsou tyto paměti úsporné.
Zdroj: www.digit-life.com, www.cdrinfo.com
Inovované paměti MRAM mají upravené obvody tak, že větví cesty pro čtení či zápis. Vše vidíte na obrázku. To rovněž snižuje odpor přibližně o 38%, umožňuje dosáhnout vysokých přenosových rychlostí a jeden cyklus tak trvá pouhých 34ns.
Tyto paměti jsou vyráběny 130nm procesem CMOS, vylepšené obvody mají za následek zvětšení hustoty a s plochou 78,7mm2 je tak asi o 30% menší než dosavadní 16Mbit MRAM čipy.
Další novinkou firmy Toshiba je nová paměť FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory). Ta rovněž dosahuje přenosových rychlostí 200MB/s, kapacita ovšem činí 64Mbit. Architektura chainFeRAM zajišťuje menší velikost paměťové buňky.
K dispozici je rovněž ECC. Kombinuje prvky DRAM a SRAM se schopností udržet si data i při vypnutí napájení jako u Flash pamětí. DRAM paměti se totiž musí neustále obnovovat, což sice SRAM paměti nemusí, ty ale stejně musí být udržovány pod napětím, jinak se obsah ztratí. FeRAM funguje podobně jako SRAM, informace je udržena v paměťové buňce dokud nedojde ke čtení. Pouze v tomto případě se musí obsah obnovit, protože čtení obsah ničí.
Paměti jsou vyráběny 130nm CMOS procesem. Jeden cyklus trvá 60ns, přičemž napájecí napětí činí 3,3V nebo 2,5V což není málo, ale díky absenci obnovování obsahu jsou tyto paměti úsporné.
Zdroj: www.digit-life.com, www.cdrinfo.com
