Výzkumy naznačují, že další generace litografické technologie příjde ke slovu až v roce 2007
14.9.2001, Petr Klabazňa, aktualita
O další vývoj lithografické technologie se zasloužili experti dílen International Sematech workshop koncem minulého měsíce (8/2001). Nicméně, ačkoli se již na vývoji nových NGL (next-generation lithography) nástrojích pracuje, nebude se...
reklama
O další vývoj lithografické technologie se zasloužili experti dílen International Sematech workshop koncem minulého měsíce (8/2001). Nicméně, ačkoli se již na vývoji nových NGL (next-generation lithography) nástrojích pracuje, nebude se novou technologií vyrábět dříve, než někdy v roce 2007.
Prozatím se pracuje na dvou stěžejních metodách: EUV (extreme ultraviolet) a EPL (electron projection lithography). Z hlediska "velikostí" je technologie definována v ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Výsledné rozdělení dle uzlů je následující:
130-nm node: 248-nm and 193-nm scanners;
90-nm node: 193-nm scanners;
65-nm node: 157-nm tools;
45-nm node: EUV, EPL lithography;
32-nm node: EUV lithography.
Prozatím se pracuje na dvou stěžejních metodách: EUV (extreme ultraviolet) a EPL (electron projection lithography). Z hlediska "velikostí" je technologie definována v ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Výsledné rozdělení dle uzlů je následující:
130-nm node: 248-nm and 193-nm scanners;
90-nm node: 193-nm scanners;
65-nm node: 157-nm tools;
45-nm node: EUV, EPL lithography;
32-nm node: EUV lithography.
