GlobalFoundries má připraveny 22nm eMRAM

Jde tak ještě o klasickou technologii FD-SOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) s rozlišením 22 nm, s jejíž pomocí se budou v GlobalFoundries tvořit magnetorezistivní paměti MRAM. Podobné již vyrábí i Samsung a je dobře, že se paměti tohoto typu rozšiřují. Je to velice nadějná technologie, která teoreticky může zajistit rychlosti srovnatelné s RAM a přitom vysokou výdrž a schopnost udržet data i bez napájení. Může tak v některých případech zajistit alternativu pro klasické DRAM, ale i pro NAND Flash, přičemž GloFo mluví spíše o Flash. 

 

 

Paměti MRAM se nespoléhají jako Flash na elektrický náboj, pomocí nějž se ukládá informace. Namísto toho se ukládají pomocí změn směru magnetického pole ve dvou ferromagnetických vrstvách oddělených tenkou bariérou. Tato metoda také nevyžaduje jako u Flash provést před zápisem nových dat výmaz buněk (obvyklý mazací/zapisovací cyklus), díky čemuž je tak zápis rychlejší. A jak je zřejmé, paměti MRAM se mohou tvořit obvyklými technologiemi, zde tedy 22nm FD-SOI a v případě Samsungu 28nm FD-SOI, i když nyní už možná Samsung také pokročil. 

 

 

GloFo uvádí, že jejich eMRAM tvořené procesem 22FDX vydrží alespoň 100.000 zápisů a měly by si data uchovat alespoň po dobu deseti let, pokud bude dodrženo skladování úložného zařízení ve vcelku širokém rozpětí teplot -40 °C až 125 °C. Firma se také vyjádřila k obavám ohledně možnosti smazat data magnetickým polem. Vzorek s kapacitou 40 Mb by měl bez problémů vydržet intenzitu magnetického pole až 600 Oe (Oersted) i při teplotě 105 °C a v případě aktivního provozu je to 500 Oe. 

 

Firma tyto paměti vyrábí ve své továrně Fab 1 v německých Drážďanech a že jde o eMRAM, ty už nakonec budou součástí jiných čipů určených především pro automobilové odvětví a nasazení obecně v průmyslu. O spotřebním trhu se tak (zatím) nedá mluvit. 

 

Zdroj: Anandtech