TSMC má svou verzi intelovského EMIB, jde o LSI

TSMC má svou budoucnost vcelku jasně nalinkovanou, přičemž to vypadá, že se nemusíme obávat, že by se pokrok brzy zastavil. Výrobci čipů mají možnost postupovat dvěma hlavními směry. Jednak mohou stále vyvíjet technologie pro tvoření menších a úspornějších tranzistorů, a to s vyhlídkou i na rozlišení pod 1 nm a současně s tím přijdou na řadu technologie pro účinné propojení více čipů do jednoho celku. Právě o tom je TSMC 3DFabric zahrnující i jistou technologii LSI. 

 

 

My už velice dobře známe technologii Intel EMIB, kterou lze považovat za menší a levnější interposer. Jde o propojovací čip, který je zapuštěn do substrátu, čili netvoří sám o sobě další vrstvu a umístěn je pouze pod okraji logických čipů, které má spojit. Intel takové zařízení označuje za Embedded Die Interconnect Bridge a TSMC má nyní svou verzi, a sice LSI - Local Si Interconnect. LSI je tak ve volném překladu malý křemíkový spoj, což jej ostatně přesně vystihuje. 

 

 

TSMC se přitom chystá LSI nabídnout společně s technologiemi InFO i CoWoS, a to ve verzích InFO-L a CoWoS-L. Jde právě o technologie týkající se interposerů, které pak mohou být kombinovány s můstky LSI. Čili v takovém případě interposer, jehož velikost je omezena, může být doplněn o LSI, pomocí nějž se propojí dva nebo více čipů. 

 

 

TSMC tak stále nabízí původní CoWoS, která se teď ale v základní podobě jmenuje CoWoS-S. CoWoS-L s technologií LSI je její nejnovější verze, jejíž výhodou je zvláště nižší cena v porovnání s interposerem plné velikosti. 

 

LSI navíc může být pasivní i aktivní, což znamená, že může jít o pouhé datové/elektrické spoje, anebo daný můstek může mít svou logiku. Technologie InFO-L by měla být dokončena a připravena v prvním kvartálu příštího roku, zatímco CoWoS-L snad ještě letos. 

 

 

Nakonec můžeme zmínit a zdůraznit jeden zajímavý fakt. Dříve se očekávalo, že TSMC, Intel či Samsung se v dohledné době přesunou od tranzistorů FinFET k Nanoribbon/MBCFET/GAAFET. V případě TSMC jsme s tím mohli počítat právě v rámci 3nm procesu, ale jak se dozvídáme, ten bude stále využívat tranzistory typu FinFET. 

 

Jde svým způsobem o dobrou zprávu, neboť složitější Nanoribbon si firmy mohou schovat pro budoucí procesy a technologie N3 firmy TSMC ostatně slibuje oproti N5 velice podobný pokrok s ohledem na výkon, spotřebu a hustotu tranzistorů jako N5 oproti N7. Ostatně Intel své FinFET také vylepšil, a to už v rámci 10nm procesu s tranzistory SuperFin, takže to vypadá, že jako první by tranzistory MBCFET, či jak je chcete označovat, mohl do výroby zavést Samsung.