TSMC upřesňuje, Apple M1 Ultra využívají InFO, ne CoWoS, jaký je rozdíl?

Pokud jde o označení technologie, kterou Apple nechává firmu TSMC využívat pro pouzdření čipů M1 Ultra, ve skutečnosti by se dalo prostě říci, že jde prostě o 3DFabric, jak se zastřešuje celý soubor technologií jako Integrated Fan Out (InFO), Chip on Wafer (COW), Wafer-on-Wafer (WoW) i Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS). 

 

 

Pokud tedy chceme jít více do hloubky, musíme už rozlišovat mezi jednotlivými způsoby pouzdření, a to i v rámci samotného InFO, kde existuje InFO-R nebo právě i diskutovaný InFO-LI. Pokud jde přitom o CoWoS, pak vysvětlení této zkratky nám v podstatě stačí, i když i zde máme podskupiny. 

 

 

CoWoS coby Chip-on-Wafer-on-Substrate je dnes již klasické propojení více čipů pomocí křemíkového interposeru, který se využívá proto, že samotný substát (cuprexit, plošný spoj, či jak tomu chceme říkat) nemůže nabídnout tak vysokou hustotu datových spojů, jakou lze celkem snadno vytvořit v křemíku. 

 

 

TSMC nyní potvrzuje, že M1 Ultra využívají technologii InFO-LI (neboli InFO-L či rovnou InFO-LSI / InFO_LSI), což nás nejdříve přivádí k tomu, že by si mohli v TSMC alespoň trošku sjednotit názvosloví. 

 

Jak jsme psali už ve starší aktualitě, InFO-LI je v podstatě variace na intelovský EMIB. Hlavní rozdíl oproti CoWoS je tedy ten, že se tu nepoužívá velký a drahý interposer, který musí tvořit podklad pro celou plochu všech propojovaných čipů. Jsou tu jen menší můstky LSI, které se nacházejí jen v nezbytné velikosti pod okraji dvou propojovaných čipů, přičemž TSMC se rozhodlo, že na rozdíl od Intelu nebude své můstky integrovat do samotného substrátu. Jako RDL (Redistribution Layer) lze označit vše okolo, co má na starosti spojení čipů s pouzdrem. 

 

Intel EMIB v Kaby Lake-H (WikiChip)

 

LSI sedí na substrátu, což znamená, že propojované čipy ve vrchním patře musí být s pouzdrem propojeny pomocí speciální struktury. Můžeme si přitom pamatovat, že něco velice podobného ukazovalo i AMD při prezentaci dvoučipových Instinct MI200.

 

 

Půjde nejspíše o stejnou technologii, kterou AMD označuje za Elevated Fanout Bridge, kde spojení čipů s pouzdrem zajistí prostě trošku vyšší měděné sloupky zalité do homogenní struktury, která společně s LSI (zde EFB) vytvoří rovný povrch pro umístění propojovaných čipů. Dle AMD jde přitom o levnější a jednodušší způsob pouzdření právě ve srovnání s EMIB.

 

A právě i to nám ukazuje, jak obtížné je dnes vyznat se v těchto technologiích, když nám to výrobci ztěžují i tím, že si je pojmenovávají, jak je jen napadne, ačkoliv jde v podstatě o to samé.