Samsung vyvinul první 30nm DDR3 DRAM
1.2.2010, Jan Vítek, aktualita
Společnost Samsung Electronics oznámila, že se jí podařilo vůbec poprvé vytvořit paměťový čip typu DDR3 DRAM 30nm procesem. Kapacita čipu jsou 2 Gb, tedy 256 MB. Dle Samsungu dovolí 30nm technologie o 60 procent vyšší produktivitu v porovnání...
Společnost Samsung Electronics oznámila, že se jí podařilo vůbec poprvé vytvořit paměťový čip typu DDR3 DRAM 30nm procesem. Kapacita čipu jsou 2 Gb, tedy 256 MB.
Dle Samsungu dovolí 30nm technologie o 60 procent vyšší produktivitu v porovnání s 40nm a oproti 50 nm je produktivita dvojnásobná. Slibuje si od toho především upevnění své pozice na trhu, který je v oblasti paměťových čipů DRAM dnes velmi soutěživý.
Nové paměťové produkty založené na 30nm procesu se objeví u konzumní elektroniky i v serverových systémech, kam přinesou o cca 30 procent nižší spotřebu oproti 50nm DRAM. Do masové produkce vstoupí v druhé polovině tohoto roku.
Zdroj: TCM
Dle Samsungu dovolí 30nm technologie o 60 procent vyšší produktivitu v porovnání s 40nm a oproti 50 nm je produktivita dvojnásobná. Slibuje si od toho především upevnění své pozice na trhu, který je v oblasti paměťových čipů DRAM dnes velmi soutěživý.
Nové paměťové produkty založené na 30nm procesu se objeví u konzumní elektroniky i v serverových systémech, kam přinesou o cca 30 procent nižší spotřebu oproti 50nm DRAM. Do masové produkce vstoupí v druhé polovině tohoto roku.
Zdroj: TCM
